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第 3 章 扩 散 所谓扩散技术，是指将杂质引入到半导体中，使之在半导体的特定区域中具 有某种导电类型和一定电阻率的方法。当前制备 pn 结的最主要方法是扩散法。对 于硅平面器件，整个器件的结构和性能基本上由扩散工艺确定。当前，有工业生 产价值的太阳电池仍然采用热扩散法制结。在太阳电池的产业化生产中，根据扩 散源的种类，可以分成：① 原位扩散源，包括气态源 （例如POCl ,PH , BBr , B H ） 3 3 3 2 6 和固态扩散源（例如 BN 等）；② 预沉积的扩散源包括液态源和固态源。液态源 主要是喷涂扩散源和旋涂扩散源，固态源主要是掺杂玻璃。从设备方法来说，热 扩散制结的方法包括液态源扩散，例如液态 POCl 、BBr 的管式扩散；涂布源扩 3 3 散，包括丝网印刷浆料或者旋涂、喷涂、滚筒印刷[1]液态掺杂源的链式炉扩散等。 3.1 扩散原理 3.1.1 扩散的基本物理机理 扩散是物质分子或者原子热运动引起的一种自然现象，浓度差别的存在是产 生扩散运动的必要条件，环境温度的高低 是决定扩散运动快慢的重要因素。 杂质原子可以占据硅晶格中的替位或 者间隙位置（见图 3-1 ）。当杂质原子作为 一种掺杂原子（例如硼，磷和砷）时，它 们将会以替位原子的状态存在，能够提供 自由电子或者空穴。在高温工艺中通过所 图 3-1 硅中的替位和填隙原子 谓的扩散过程这些杂质原子的深度剖面分 布将会发生变化。杂质原子的再分布可以是有意的“推进”，也可以是高温氧化、 沉积或者退火过程的无意结果。 空位扩散：一个替位原子与空位交换晶格位置，这个过程要求空位的存在。 图 3-2 中大圆圈代表占据平衡晶格位置的基质原子，而小圆圈代表掺杂原子。在 高温时，晶格原子将会绕着平衡晶格位置振动，此时基质原子有可能获得足够多 的能量离开平衡晶格位置而成为填隙原子，同时也产生一个空位。当空位旁的杂 质原子占据这个空位时，实现了空位的移动，这种机理称为空位扩散机理。 ·52 · 晶体硅太阳电池制造技术 图 3-2 空位、填隙原子和自间隙原子扩散机理 若一个填隙原子从某位置移动到另一个间隙中而不占据一个晶格位置时，这 种机理称为填隙扩散。自间隙扩散来自于硅的自间隙原子碰撞替位杂质原子使之 移动到一个间隙位置，然后间隙杂质将会碰撞另一个硅晶格处的原子使之移动到 自间隙的位置，而间隙杂质占据这个晶格位置，这个过程要求存在自间隙硅原子。 重要的是占据了替位位置的掺杂原子（例如磷、砷和硼）一旦被激活后，掺杂扩 散就与存在的空位和间隙点缺陷紧密相关，并且受到它们的控制。 一个杂质为了能够在硅中扩散，必须在硅原子周围移动或者将硅原子碰撞 开。在填隙扩散过程中，扩散原子从一个间隙位置跳跃到另外一个具有相对低的 势能和相对多的间隙态数量的间隙位置处。自间隙原子扩散要求存在空位或者一 个间隙，并且必须要打断晶格键 。空位和间隙的形成相对来说是一个高能过程， 因此在平衡态时是很少的。晶键的断裂相对来说也是一个高能过程，因此自间隙 原子的扩散速率要低于填隙原子的扩散。空位扩散取决于空位浓度，它是温度的 函数，同时还取决于任何非平衡的空位形成或者湮 机理。相反，自间隙扩散取 决于硅的自间隙浓度，而这个参数 同样取决于温度和非平衡过程。 在单晶硅中，杂质原子占据一个替位还是间隙位置取决于原子是否被晶格限 定的周期势能束缚 。从一个位置跳跃到另一个位置的概率是随温度呈指数增加的。 3.1.2 扩散方程 在采用数学方法解析扩散深度剖面时，有两 初始条件和边界条件。第一 就是所谓的有源扩散预沉积，在扩散过程中表面存在固定的源。另外一 叫做无 源扩散或推进或再分布，在表面