高速电路设计与库模型应用的研究.pdfVIP

第10 卷 第4 期 电路与系统学报 Vol. 10 No.4 2005 年 8 月 JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS August 2005 文章编号 1007-0249 (2005) 04-0 125-03 * 高速电路设计与库模型应用的研究 冯军 金杰 东南大学 射频与光电集成电路研究所 江苏 南京 210096 摘要 通过对TSMC 0.18m CMOS 工艺库模型的分析 电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结 果的验证比较 提出在深亚微米工艺中 大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行 关键词 库模型 RF 管 MM 管 高速电路 中图分类号 TN402 文献标识码 A 1 引言 随着集成工艺的不断发展 硅CMOS 工艺在工艺精度不断提高的同时器件特征频率也在提升 目 前正以其易于实现以及较高的性价比而崭露头角 赢得市场 成为大规模集成电路设计的主流工艺 同时在某些领域将逐渐取代 / 族化合物工艺成为高速电路设计的首选工艺 集成电路设计 尤其自底向上进行时 从底层设计开始的高速电路设计与集成电路制造厂家提供 的元件库模型密切相关 准确的库模型为成功设计奠定基础 模型不准确 再好的设想 再好的电路 构思也不易实现 在高速电路设计中除了元器件模型 还有各种寄生参数的影响 都会使最终的测试 结果与开始设计的仿真结果相差太远 本文通过对实例进行模拟和测试的结果给出在给定库模型 TSMC 0.18m CMOS 工艺 的情况下 高速电路设计中管子模型选择的考虑 2 问题的提出 早在两年多以前我们就已经用 0.25m CMOS 工艺设计并测试出达到 10Gd/s 速率的电路[1] 因此考虑随着工艺的提高 0.18m 工艺应该做的更好 更何况库中含有的 RF 模型应该更适合高速电路的工作 其实不然 尽管设计 中想尽办法 在电路上采用了各种措施 仿真结果也远没有预期的那么乐观 图1 仿真电路 大部分电路难以达到要求 这使我们不得不认真考虑一下问题所在 在台积电公司 TSMC 的0.18m CMOS 工艺中 对于场效应管给出了两种模型 RF 管模型和 混合模型 MM 管 在此之前的0.35m 0.25m 工艺中 只用了MM 管 现在的0.25m 工艺中也 增加了RF 模型 且可以肯定 随着工艺提高 速度一定可以提高 因此这里的问题一定与模型库有 关 为验证这一想法 做了这样一个仿真实验 采用最简单的三管差分放大电路进行仿真 比较 RF 管与MM 管对电路的影响 电路如图1 所示 电路中差分对管为M1 和M2 电流源管为M3 两电阻 相等为R 各参数为 V 1.8V V 0.8V R 600Ù w 15ìm w 15ìm w 25ìm L 0.18ìm dd bias 1 2 3 1 L 0.18ìm L 0.18ìm 表 1 仿真结果 2 3 仿真中为避免其它因素的影响 电阻R 采用理想电阻 在 电压增益 dB 3dB 带宽 GHz 同样的工作条件下 均未考虑优化设计 采用 SmartSpice 仿 MM 10.15 17.9 RF 9.98 10.1 真 结果如表