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一种新型的IGBT短路保护电路的设计 作者：　来源：wxw120 浏览次数：6　时间：2008-11-14 13:17:43 态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。 ＩＧＢＴ是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各 类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认为ＩＧＢＴ损坏的主要原因有两种：一是ＩＧＢＴ退出饱和区而进入了放大区，使得开关损耗增大；二是 ＩＧＢＴ发生短路，产生很大的瞬态电流，从而使ＩＧＢＴ损坏。ＩＧＢＴ的保护通常采用快速自保护的办法，即当故障发生时，关断ＩＧＢＴ驱动电路，在驱动电 路中实现退饱和保护；或者当发生短路时，快速地关断ＩＧＢＴ。根据监测对象的不同，ＩＧＢＴ的短路保护可分为Ｕge监测法或Ｕce监测法，二者原理基本相 似，都是利用集电极电流ＩＣ升高时Ｕge或Ｕce也会升高这一现象。当Ｕge或Ｕce超过Ｕge（sat）或Ｕce（sat）时，就自动关断ＩＧＢＴ的驱 动电路。由于Ｕge在发生故障时基本不变，而Ｕce的变化较大并且当退饱和发生时Ｕge变化也小难以掌握因而在实践中一般采用Ｕce监测技术来对 ＩＧＢＴ进行保护。本文研究的ＩＧＢＴ保护电路，是通过对ＩＧＢＴ导通时的管压降Ｕce进行监测来实现对ＩＧＢＴ的