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CCD 微光摄像器件 一、MOS单元与CCD MOS单元是CCD结构的基本组元。它由金属(M) 电极、氧化物(O)层和半导体(S)三层组成。 通常以单晶硅(p型或n型)作基底，其上 长一 层薄的二氧化硅，再蒸涂一定形状的金 属电极。 假定衬底是p型硅。在金属电极上加电压 U时，p型区内的多数载流子—空穴将在电场 的作用下趋向离开电极，于是形成所谓的“耗 尽区“。对于少数载流子—电子，电场将它们 引入“耗尽区“。故“耗尽区“成为电子的”陷阱” 称为势阱。 若有光线射入并产生电子—空穴对，则空穴 将被排斥出“耗尽区“，而电子将被吸入势阱。 光越强，则势阱收集的电子越多。一个这样 的势阱所收集的电荷总体叫做电荷包。这个 MOS单元就成为一个光敏元，简称为像素。 在半导体硅片上制成大量相互独立的MOS单 元，并由各自电极施加相应的电压，就形成 大量的势阱。若有一幅实际的光学图像呈现 于器件表面，则各MOS单元势阱中电荷的多少 就反映了该像素接受的光的强弱，于是光学 图像就变成了电荷分布图。 这种由大量MOS单元构成的器件就是CCD. 二、信号电荷的存储和传输 对于单个MOS结构，如维持其上的电压并保 持光对它的照射，则它下面的势阱会不断积累 光生电子，同时使