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LED实例简介 GaP LED GaP 是一种间接跃迁型半导体材料， 其禁带宽度为2.3 eV 。GaP LED的发光原理是通过禁带中的发光中心来实现的。掺入不同的杂质，其发光机制不同，则可发出不同颜色的光。在室温下，对GaP 发光起重要作用的是深能级的等电子陷阱和激子。其中构成绿色发光中心的是氮，构成红色发光中心的是氧。另外还有橙黄色发光中心。 GaP 绿光LED 当GaP 中掺入氮时，氮可能取代晶格上的磷原子。氮和磷都是V 族元素，它们的价电子数相同，因此称N 为等电子杂质。由于氮的原子序数为7 而磷为15，氮比磷少8 个电子，氮取代磷以后，那里的电子即相对的欠缺，故氮对电子的亲和力远大于磷的。因而，它可以俘获电子，形成电子的束缚状态— 等电子陷阱。氮俘获电子以后，又因库仑作用而俘获空穴， 俘获的电子和空穴形成激子。这种激子通过辐射复合消失时，在室温下发射波长入=570 nm 绿光。 GaP 红光LED 当GaP 掺入锌和氧后， Zn 原子一般占据晶格中Ga 的位置，而O则占据P 的位置。由GaP 的晶格结构可以看出， GaP 处于相邻位置。Zn ， O 取代后必然处于相邻的位置。于是形成了Zn ? O对等电子陷阱。由于Zn 比基质Ga 的阳性更强，而O比P 的阴性更强，因此GaP 中Zn与O原子处在最近邻