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1、PN结电容可分为 ? ? 和 扩散电容 两种，它们之间的主要区别 ???? 。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为?，对于窄沟道器件对VT的影响为 。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 。 5、PN结击穿的机制主要有 等几种，其中发生雪崩击穿的条件为 ?VB6Eg/q? 。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。 PN结电击穿的产生机构两种； 10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；、晶体管特征频率定义；、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；、MOSFET短沟道效应种类、扩散电容与过渡区电容区别。截止频率fT 。 耗尽层宽度W。 、内建电场； 答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N