直流GIS 中绝缘子的表面电荷积聚.pdfVIP

_______________________________________________________________________________ 直流 GIS 中绝缘子的表面电荷积聚 汪沨，方志，邱毓昌 （西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，陕西西安 710049 ） 摘要：本文对直流气体绝缘开关装置 (GIS) 的绝缘子的结构设计进行探讨。认为对绝缘子表面电荷积聚的抑制是直流气体 绝缘开关装置绝缘设计的重点。文中给出绝缘子表面电荷积聚规律并对其抑制方法进行讨论。 关键词：直流；气体绝缘开关装置；绝缘子；电荷积聚 中图分类号：TK854 文献标识码：A 国际上关于直流气体绝缘开关装置 (GIS) 绝 C 缘方面的基础理论研究开始于 20 世纪 80 年代，当 u1 = 2 Q （1）