变温霍尔测定.docVIP

变温霍尔效应 关键词：霍耳效应，霍耳系数，半导体，载流子，控温，变温测量。 实验原理 1.1霍尔效应 1.1.1霍尔效应 霍尔效应是一种电流磁效应，如图1所示： 图 1霍耳效应示意图 当样品通以电流，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差： ， 与样品厚度成反比，与磁感应强度和电流成正比。比例系数叫做霍尔系数。霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果【1】。 1.1.2一种载流子导电的霍尔系数 型半导体：， 型半导体：， 式中和分别表示电子和空穴的浓度，为电子电荷，和分别是电子和空穴的电导迁移率，为霍尔迁移率，（为电导率）【1】。 1.1.3两种载流子导电的霍尔系数 假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场（，为迁移率，单位为，的单位为）的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体，可以证明： （1） 其中。 1.1.4型半导体的变温霍耳系数 型半导体与型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对比如图2所示（见文献【1】）；其中曲线中各区间的物理意义将在后面结合本实验得到的曲线具体分析。 图 2型半导体和型半导体的曲线 1.2实验方法 本实验采用范德堡法测量单晶样品的霍耳系数，其作用是尽可能地消除各种副效应。 考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即 其中，表示实际的霍耳电压，、和分别表示爱廷豪森效应、能斯特效应、和里纪－勒杜克效应产生的附加电位差，表示四个电极偏离正交对称分布产生的附加电位差。 设改变电流方向后的测得电压为，再改变磁场方向后的测得电压为，再改变电流方向后的测得电压为，则有 所以有，由于与霍耳电压一样既与电流方向有关由于磁场方向有关，因此范德堡法测量霍耳系数不能消除爱廷豪森效应，即所测得到的所谓的“霍耳电压”实际上包括了真实的霍耳电压和爱廷豪森效应的附加电压，即 （2） 霍耳系数可由下面的公式（3）计算得出： （3） 式中的单位为；是样品厚度，单位为；是样品电流，单位为；是磁感应强度，单位为；霍耳系数的单位是。 实验仪器详见/product_view.asp?id=11 技术参数: 1、变温范围：77K~400K 2、温度测量分辨率：0.5K 3、励磁电源电流调节范围：0~6A 4、磁场调节范围：0~400mT 5、霍尔电压分辨率：1uV 6、提供霍尔样品的电流：1mA 特 点：1、系统软件能够自动完成霍尔系数和电导率的测量、控制、记录及数据处理全过程2、测量系统线路采用单片机设计，内有WATCHDOG电路，具有高可靠性及高抗干扰性能3、采用低漂移前置放大器和高分辨率高速采集芯片 NDWH-648型变温霍耳效应仪如图3所示 图 3变温霍耳效应系统示意图 实验数据处理及分析 本实验中碲镉汞单晶样品的厚度为，样品通电电流大小为，外磁感应强度大小为；改变温度测量各温度下的、、和，利用公式（2）和公式（3）即可计算和。 本实验中测量样品霍耳系数的温度范围为至，共测了42个点。其中在温度和的两个测量点由于恒温器读数的滞后，其示数跳动范围比较大，造成了比较大的偶然误差，使得这两点偏离整体趋势线比较远，在这里舍去不取。这样由剩下的40组比较可靠的点得到了实验的曲线，如图4所示： 图 4实验得到的样品的曲线 由得到的实验曲线可以看出此曲线包括以下四个部分： 1）至，这是杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。型半导体中，在这段区域内有。本实验中测得到的杂质电离饱和区的霍耳系数为。 2）至（即左右），即温度逐渐升高时，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，即，当温度升高到时，有，如果取对数就会出现图中凹陷下去的奇异点。 3）至，即当温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，而使，随后将会达到一个极值。此时，价带的空穴数（其中表示受主杂质提供的空穴数），将此式代入公式（1），并求对的导数，得到的极值： （4） 实验中测得的（此时的温度为）。再将得到的和值带入公式（4）可以解得电子迁移率和空穴迁移率的估算值，即 。 4）至，即当温度继续升高时，到达本征激发范围内，载流子浓度远远超过受主的浓度，霍耳系数与导带中电子浓度成反比。因此，随着温度的上升，曲线基本上按指数下降。由于此时载流子浓度几乎与受主浓度无关，所以代表杂质含量不同的各种样品的曲线都聚合在一起。 结论 本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到了实验上的曲线，并结合理论分析了曲线中各区间的物理意义，还对电子迁移率与空穴迁移率的比值作了估算。 参考文献 [1] 熊俊.近代物理实验.北京：北京师范大学出版社，2007 [2] 黄昆.固体物理学.北京：高等教育出版社，1988 5 Sheet3 Sheet2 She