半导体物理第11次课.ppt

异质结 异质结的能带图 异型异质结—例子 同型异质结—例子 nP型异质结 能带弯曲与接触电势差 反向势垒 电子势垒与空穴势垒的不对称性 正反向势垒（宽带区掺杂浓度较低） 正反向势垒的特点 正向势垒的I-V特性 异质结的I-V特性图示 界面态的影响 界面态密度 表面能级 表面态对异质结能带的影响 双肖特基二极管模型 表面态密度很高时的I-V特性 2DEG的特点及用处 2DEG在空间上分开了掺杂区与高载流子浓度区（调制掺杂）； 在近本征的p型GaAs界面附近有一个浓度很高的自由电子层； 由于杂质浓度很低，因此杂质散射影响很小，所以2DEG具有很高的载流子迁移率。 可以以来制造高迁移率晶体管(HEMT)和2维电子气场效应管（TEGFET）。 超晶格?晶格常数超大的人工晶格 I、I’、II型超晶格 超晶格的态密度-能带折叠效应 补充：量子线-1D 量子点-0D NCS与应变调制 异质结、量子阱、超晶格的应用 注入比及粒子数反转 单异质结激光器-电子势垒 双异质结激光器-电子势阱+抑制空穴注入 多量子阱与超晶格 量子阱：一个能量比较低厚度足够薄的区域，如前面讨论的导带中的下陷区，通常由2个势垒限定。 多量子阱：多个量子阱－势垒组合。 超晶格：许多按周期性排列的量子阱－势垒组合。 多量子阱 量子约束：两种不同的半导体材料做成重复相间的多层结构，只要两种材料的能带结构合适，电子和空穴的运动将被局限在各自的势阱中。 形成多量子阱的条件：窄带材料（势阱）的宽度较小，可以和电子的德布罗意波长相比。宽带材料（势垒）的宽度较大，使两个相邻势阱中的电子波函数不能互相耦合。 能级分立：阱中电子（或空穴）在垂直于结平面方向的能量不再连续，只能取一系列分立的值，它们和势阱的宽度、深度以及电子和空穴的有效质量有关。势阱中的电子和空穴在平行于异质结的方向上的运动是自由的，因而能带将由一系列的子能级组成，态密度和能量的关系呈台阶形+尖峰。 超晶格：形成超晶格的条件：量子阱的数目很多，一般在50个以上。窄带材料（势阱）的宽度较小，可以和电子的德布罗意波长相比。宽带材料（势垒）的宽度也较小，使相邻势阱中的电子波函数能够互相耦合。 各量子阱的分立能级因阱间相互作用而扩展成子能带。但DOS总体形状与多量子阱仍然相似，但原先的尖峰扩展成较宽的峰。 I型：窄带的导带底和价带顶均 位于宽带的禁带内。 I’型：一朝材料的导带底位于另一种材料的禁带内，而价带顶则低于另一材料的价带顶。 II型：一种材料的导带底和价带顶均低于另一种材料的价带底。 注意： 间的关系。 超晶格（江崎－朱兆祥） 能带折叠效应 电子在两个方向(x,y)受到限制，但在一个方向(z，长度方向)是自由的。 因为Z方向是自由的，所以态密度dN/dE正比于 。 电子在xy方向是约束的，能量只能取分立值。 因此一维系统的dN/dE如右图所示。 纳米颗粒可以认为是零维系统。电子在这样的点中在三个方向均受到约束，因而能带为分裂能级结构，其态密度如左下图所示。 应变： 异质结?晶格不匹配?  应力应变? 禁带宽度变化?载流子浓度变化（力传感器） NCS(neighboring-confinement structure) ?电子-空穴分别约束在邻近区域，提高发光效率。 发光（激光器，发光二极管）； 测光强、辐射； HBT晶体管； HEMT； 应变传感器 高浓度调制掺杂、应变掺杂 * 不同半导体材料构成的结称异质结。 存在两种类型的异质结，即反型（P-N）和同型（N-N或P-P）异质结。 一般把禁带宽度小的材料写在前面，如n-nGe-Si, nGe-pGaAs 异质结也有突变结和缓变结之分，但一般情况下以突变结居多。 以讨论不考虑界面态的影响。 I、I’、II型异质结 I型：窄带的导带底和价带顶均 位于宽带的禁带内（电子势阱，空穴势阱）。 I’型：一种材料的导带底位于另一种材料的禁带内，而价带顶则低于另一材料的价带顶（电子势阱、空穴势垒）。 II型：一种材料的导带底和价带顶均低于另一种材料的价带底（电子势阱、空穴势垒） 。 注意： 间的关系。 边界条件 与同质PN结的异同 相同点：形成空间电荷区能带弯曲；有电容效应。 不同点：由于两种材料介电常数不同，因而电场在界面处不连续，导致能带出现尖峰、下陷和不连续。 导带上的下陷处积累高密度的电子，可以形成2维电子气2DEG。 能带弯曲总量 接触电势差 导带底突变 价带顶不连续 具体例子 负反向势垒（宽带区掺杂浓度较高）如果禁带宽度大的半导体材料界面处的尖峰低于禁带宽度小的半导体材料在势垒区外的导带底，则称该势垒