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高场下FN隧穿区的应力感应漏电流研究 卫建林毛凌锋许铭真谭长华段小蓉 北京大学微电子研究所，100871 一、引言 在超薄氧化层中，应力感应漏电流(sILc——s仃ess—InducedLeakageCurrent)两MOS 器件的可靠性的影响是非常重要的。SILC是由于应力电压或应力电流对MOS器件老化 引起的栅电流增加，它可以降低EEPROM、NWIvl等存储器件的数据保持时间，增加 MOSFET的关态功耗等，而且这种漏电流还随氧化层厚度的减小而增加，对MOS器件 尺寸按比例缩小起重要的限制作用。目前，对低的测量电压下的这种漏电流已经有了大 量报道¨】。本文主要对较高测量电压下S1LC进行研究。 二、实验 5／15，栅面积为2．25x104cm2 实验样品为氧化层厚度To。=5nm的pMOSFET，WFL=I 衬底掺杂浓度为4．8x10。7cm～。实验条件为周期性的恒压应力，应力电压VGslⅧs=-6．6V 在周期性的_立力中断时进行准静态Ig-V。扫描测量，实验是在室温下完成的a 三、结果及其讨论 SILC的电流密度Jmc定义为： J§＆c=Jm§∞一JF№m