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激光刻槽埋栅晶硅电池研究的新进展 何少琪王玉亭励旭东赵玉文李仲明予元 (北京市太阳能研究所北京100083) 抽要：本文报道了激光刻槽电池研究的新进展．在对电极设计以及槽扩散后处理，化学镀等工艺 进行改进后，电池效率及稳定性都得到改进，采用区熔单晶制作电池效率达18．6％．本文还报道 了采用直拉单晶和太阳能级单晶制作电池的结果． 美麓词：太阳电池，澈光刻槽，化学镀 1．引言 刻槽埋栅电池的铜作工艺简单，并保留了实验室高效晶硅电池表面钝化，细栅线，背场和发 射区选择性掺杂等特点，因而被认为是一种具有产业化前景的高效电池(1)．我所自1993年 开展麴槽电池的研究工作以来，先后进行了2x2cm2和5x5cm2电池的制作，并对机械赛《槽和激 c舒和5x5cm。的电池效率分别达到1847％和18．3％(2,3)．在 光刻槽工艺进行了研究，2x2 此基础上，我们对电池制作工艺进行了部分改进，并在直拉单晶和太阳能级硅片上分别进行了试 8 722％，太阳能级硅 验，区熔单晶硅片制作电池效率达到1