2015年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告.docVIP

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2017-08-14 发布于河南
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2015年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告.doc

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2015年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告.doc

2004年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告所属各单位：科技开发处对2004年我所科技人员（所属单位为半导体所）在国际学术期刊上发表的论文，专利申请和授权情况进行了统计。并根据半发科技字[2004]9号《半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法》对以下成果进行奖励。 2004年我所在获奖、论文、专利及著作等方面取得了较好的成绩，获国家奖一项；在国际学术期刊上共发表论文 114 篇；申请专利 146 项，版图设计8项，授权专利 20 项；编著一本、译著一本，希望全所科技人员在新的一年中作出更多更优秀的科研成果，取得更高水平的论文和申请更多的专利。附件：1、半导体所2004年国际期刊发表论文统计表 2、半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表 3、2004年国际期刊影响因子附表 4、半发科技字[2004]9号《半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法》中国科学院半导体研究所 2005年4月24日附件一：半导体所2004年国际期刊发表论文统计表 1、超晶格室 31 篇，共奖励元其中： Chinese Physics Letters 6 J. Appl Phys. 4 JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER 2 Applied Physics Letters 2 ?Solid state Comm 2 ?Journal of Crystal Growth? 3 Superlattices and Microstructures 1 Physical Review B 3 Physical Review A 3 Optics Communications 1 J.Phys.A：Math.Gen. 1 J. Phys. D: Appl. Phys 1 Phil.Trans.R.Soc.Lond.A 1 JPN J APPL PHYS 1 2、材料开放室 33篇，共奖励元其中： 1）J. Appl. Phys. 3 2） Journal of Crystal Growth 19 3） Appl. Phys. Lett. 3 4） Physica E 1 5）IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 1 6） Journal of Physics: Condensed Matter 1 7） Nanotechnology 1 8） Chinese Journal of Chemistry 1 9）J. Vac. Sci. Technol.B, 1 10）Physica Status Solidi (b) 1 11）Eur.Phys.J.Appl.Phys