超薄和超薄绒面Si太阳电池的 1-MeV电子辐照特征.pdfVIP

第27 卷 第4 期 核 技 术 Vol. 27, No.4 2004 年4 月 NUCLEAR TECHNIQUES April 2004 超薄和超薄绒面Si 太阳电池的 1-MeV 电子辐照特征 艾尔肯 郭 旗 任迪远 余学峰 陆 妩 严荣良 （中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐 830011 ） 摘要 对国产超薄背场Si 太阳电池和超薄绒面背场Si 太阳电池的电参数和光谱响应的 1-MeV 电子辐照损伤 进行了研究。实验结果表明，超薄和超薄绒面背场Si 太阳电池与常规背场Si 太阳电池相比不但具备更好的抗 辐射能力，而且电池电参数也有了明显提高。 关键词 太阳电池，电子辐照，辐射损伤，光谱响应 中图分类号 TN304 ，TM914.4 随着空间科学技术的日益发展，航天器需要具 量为 1MeV。电子束通量为5.5×1011/cm2 ·s 。测量 13 13 14 14 有更高输出功率和抗辐射能力的电源系统。特别是 了电池辐照前和经过1×10 、7×10 、2×10 、7×10 、 近年来小型卫星技术和长寿命航天器的发展，对作 2×1015 /cm2 注量的电子辐照后的电参数（包括开路 为航天器主要能源的太阳电池提出了更高的要求。 电压V 、短路电流I 、最大工作电压V 、最大工 oc sc m 由于成本低、工艺成熟等原因，Si 太阳电池一直是 作电流Im 、最大输出功率Pm 和填充因子FF ），同 各种航天器电源系统的首选。但是，Si 太阳电池光 时还测量了辐照前后的光谱响应。 电转换效率较低，目前国产常规Si 太阳电池的转换 效率约为12%。虽然加背电场使Si 太阳电池的效率 2 实验结果与分析 得到了提高，但电池的抗辐射能力明显衰降，因此， 2.1 Si 太阳电池电参数的辐照特性 找出一个既能提高效率又能提高抗辐射能力的方法 促进 Si 太阳电池在空间领域的应用是十分迫切和 表1 给出了超薄、超薄绒面和常规3 种背场Si [1,2] 太阳电池开路电压 V 、短路电流I 和光电转换效 必要的。研究表明 ，将背场 Si 太阳电池基区厚 oc sc 度变薄和其表面绒化是提高电池性能的有效方法之 率η辐照前和辐照后的对应值。图 1 画出了电池开 路电压 V 和短路电流I 的辐照特性曲线。图2 所 一。本文对超薄背场 Si 太阳电池和超薄绒面背场 oc sc Si 太阳电池进行了 1-MeV 电子的辐照损伤研究和 示的是3 种电池光电转换效率随辐射注量衰减和归 讨论。 一化曲线。 从表1 和图1 中可以看出，随着辐射注量的增 1 实验样品和实验方法 大，1-MeV 电子辐照使电池的开路电压V 和短路