GIS中T型弯对超高频电磁波衰减作用的仿真的研究.pdfVIP

GIS 中T 型弯对超高频电磁波衰减作用的仿真研究 GIS 中T 型弯对超高频电磁波衰减作用的仿真研究 1 2 王 江 ，钱 勇 （1.重庆市电力公司，重庆 400014 ；2.上海交通大学电气工程系，上海 200240 ） 摘要：气体绝缘开关内部由于存在各种绝缘缺陷而发生 GIS 腔体内激发频率高达数 GHz 的电磁波[1-3] 。超 局部放电时，会激发数百 MHz 至数 GHz 的超高频电磁 高频（Ultra-High-Frequency-UHF ）法，是通过对 波。笔者根据电磁波在同轴波导中的传播理论，运用有 GIS 中局部放电时产生的超高频电磁波信号进行 限差分时域算法对 GIS 内局放激发超高频电磁波信号 检测，从而获得局放信号的相关信息。UHF 法由 经 T 型弯的衰减特性进行仿真计算分析。首先研究了 T 于其具有较强的抗干扰能力，较高的灵敏度，以及 型弯对超高频电磁波电场信号强度的衰减作用，指出电 可实现局放源定位和故障类型判别等良好特性，得 磁波经 T 形弯到垂直臂上的衰减较大，传播到直臂另一 到了广泛的关注[4-9] 。 端上的衰减较小。然后研究了经 T 型弯衰减后超高频电 由于UHF 法基于对 GIS 腔体内超高频电磁波 磁波电场信号增益的幅频特性，指出 GIS 腔体内的谐振 的检测，因此，对局放脉冲激发的超高频电磁波在 使超高频电磁波在通过 T 型弯后某些频率成分的电场 GIS 腔体内传播特性的研究尤为重要，国内外学者 强度得到增强。 在这方面做了一定的研究，但就 GIS 中 T 型弯对 超高频电磁波信号的衰减作用鲜有论述。GIS 除了 关键词：GIS，超高频，电磁波，FDTD 长直腔体结构外，还包含若干弯角结构，T 型弯是 GIS 中最为常见转角结构之一，由一直臂和一与其 1 引言 成 90 度的支臂构成，如同英文字母的 T 。局部放 电激励的超高频电磁波在经过T 型弯时，传播特性 全 封 闭 式 气 体 绝 缘 组 合 开 关 会受其影响，传播到直臂另一端和垂直分支上的信 (Gas-Insulated Switchgear-GIS)在其问世以来的 号 都 会 产 生 一 定 程 度 的 衰 减 。 笔 者 采 用 20 多年里，因其占地面积小，可靠性高，安全 FDTD(Finite Difference Time Domain-FDTD)算法 性好，安装周期短，检修周期长等突出优点， 对 GIS 内超高频电磁波信号经 T 型弯的衰减特性 在世界范围内，尤其是电力系统中得到了广泛 进行仿真计算，重点研究了 T 型弯对超高频电磁波 应用。多年的运行经验表明，尽管 GIS 具有很 电场信号强度的衰减作用，以及经T 型弯衰减后电 高的运行可靠性，但由于在制造、装配过程中 磁波电场信号增益的幅频特性。 的工艺问题，其内部仍不可避免的存在各种缺 陷，如自由金属微粒，针状突出物，固定微粒， 2 电磁波在同轴波导中的传播理论 绝缘气隙等。这些微小缺陷的存在，会在电压 升高时引起局部电场强度急剧增大，极易发展 单相 GIS 可简化为一个内径为 2a ，外径为 2b 成危险的放电通道，从而引发事故。研究表明， 的同轴波导,其中 a 为导体半径，b 为