ZXT11N15DFTA;ZXT11N15DFTC;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-08-12 发布于北京
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ZXT11N15DFTA;ZXT11N15DFTC;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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ZXT11N15DF SuperSOT4™ 15V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR SUMMARY V =15V; R = 37m ; I = 3A CEO SAT C DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give SOT23 extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equivalent On Resistance • Extremely Low Saturation Voltage • hFE characterised up to 5A • I =3A Continuous Collector Current C • SOT23 package APPLICATIONS • DC - DC Converters • Power Management Functions • Power switches E C • Motor control B ORDERING INFORMATION DEVICE REEL SIZE TAPE WIDTH QUANTITY Top View (inches) (mm) PER REEL ZXT11N15DFTA 7 8mm embossed 3000 units ZXT11N15DFTC 13 8mm embossed 10000 units DEVICE MARKING 1N5 ISSUE 1 - DECEMBER 1999 / 1 ZXT11N15DF ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 15