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半导体生产与洁净度 微电子的发展史 1、1904年和1906年真空二极管和真空三极管的问 世； 2、1950年世界上第一个结型晶体管诞生； 3、1958年世界上第一块集成电路研制成功； 4、日本公司将集成电路从军事用途带入民用领域。 半导体特性决定其制造过程必须有洁净度要求 综前所述杂质对半导体的特性有着改变或破坏其性能的作用，所以在半导体器件生产过程中对什么都必须严格控制，杂质有各种各样的，如金属离子会破坏半导体器件的导电性能，灰尘粒子破坏半导体器件的表面结构等。 一、生产环境洁净 半导体器件生产环境要求很严，除了要求恒温、恒湿外，对生产环境洁净度要求很严，按单位体积中规定的尺寸灰尘粒子为标准分成洁净度的等级。一般分为10级、100级、1000级、10000级、100000级，美国联邦标准中规定了洁净室和洁净区内空气浮游粒子洁净等级。 1、浮游粒子的洁净等级 1）洁净区 空气浮游粒子的浓度被控制在特定的浮游粒子洁净度等级范围内某一限空间。 2）洁净室 浮游粒子浓度被控制，包含一个或多个洁净区的房间。 2、浮游粒子洁净度的检测（颗粒测试仪） 1）采样：任何洁净区的取样点不少于2个，除受洁净区划内的设备限制外，取样点应在整个洁净区均匀分布，每个选定的取样点应至少取样一次。在一个区内总共应最少取样5次，每个取样点取样应多于一次，而不同的取样点取样次可以不同 2）取样量度和取样时间：取样量不少于0.00283立方米（合0.1立方英尺），并且计算所得取样量结果不得四舍五入。取样时间可以用取样量除以取样速率来计算。 3、浮游粒子洁净度的监测 监测方法应根据规定的浮游粒子洁净等级和为保护工艺和产品免受污染物影响而控制的污染水平来制定，应确定监测频率，运行条件和粒子计算方法，取样点和取样点数量，取样量和数据处理方法也应被确定。 二、工艺过程中的洁净 工艺过程中的洁净必须根据工艺要求进行对于所用原材料必须符合工艺要求，对于使用设备、工夹具、器皿的清洗周期在工艺文件中必须作出规定来严格执行 洁净区的管理 进出洁净区的管理规定 净化区行为规则 环境颗粒管理规定 净化度管理规定 P.H值管理规定 纯水管理规定 生产用气体管理规定 1、清洗用水，对纯水的要求10-18Ω-cm，化学药品：如氨水（NH3)、双氧水（H2O2）、氢氟酸（HF）、盐酸（HCL）等。2、工艺过程中使用的工器具：石英管、石英舟、传递夹、镊子等、清洗槽。3、工艺过程中使用的设备。4、必须改正一切不利于洁净生产的习惯。 一、集成电路的发展 二、太阳能电池的发展 1、1951年在贝尔实验室诞生； 2、60年代用于航天领域，转换效率为10%； 3、70年代技术迅速发展，使用于民用领域；转换 效率为20%； 4、90年代在规模生产，效率不断提高；销售量以 每年25%的速度递增。 半导体基本知识 定义 导体： 能导电的物体；（如：银、铜、铝等） 绝缘体：不容易导电的物体；（如：橡皮、塑 料、玻璃等） 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物 体。（如：锗、硅、硒等） 一、基本知识 二、特性 有两种载流子——电子和空穴。纯净的（不含杂质）的半导体（称本征半导体）中有一个电子就必然有一个空穴。即电子和空穴的数量相等。 电子 空穴 本征半导体示意图 与导体和绝缘体不同，半导体的导电性能受温度的影响很大。 当温度升级1℃时，它的电导率就要增加百分之几到百分之十几，这是由于半导体中的本征载流子随温度升高而增加的缘故。而导体和绝缘体的电导率随温度的变化却很小。 导体中含少量的杂质对导体的导电能力影响极小，但是杂质对半导体的性能却影响很大。 掺入杂质锑（或磷、砷之类）：新产生的电子数量远远超过原来未掺入杂质前的电子或空穴的数量。电子的数目以压倒多数超过空穴，导电作用主要由电子来决定，电子称为“多数载流子，空穴称“少数载流子”。 这种类型半导体叫电子型半导体，简称n型半导体。 电子 空穴 n型半导体示意图 掺入杂质铟（或铝、硼之类）：这块半导体中会产生许多新的电子和空穴。空穴的数目以压倒多数超过电子，导电作用主要由空穴来决定，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 这种类型半导体叫空穴型半导体，简称p型半导体。 电子 空穴 p型半导体示意图 工作原理 n型半导体的多数载流子——电子在电场作用下向外加电压的“正端”移动，而少数载流子——空穴在电场作用下向外加电压的“负端”移动，在半导体内构成电流。电流方向与带负电的电子运动方向相反。 n型半导体 空穴移动方向 电子移动方向 电流方向 p型半导体的多数载流子——空穴在电场作用下向外