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DS80C320 在高速数据采集中的应用 作者：武汉理工大学 别体军 来源：《单片机与嵌入式系统应用》 普通的51 单片机工作在12MHz 时，指令周期为1µs，而访问外部空间需要2µs ，实现数 据采集时速度不会达到500ksps 。DALLAS 的DS80C320 与80C32 兼容，但速度更快，工作在 12MHz 时指令周期为1/3µs，而且它的工作频率可达到33MHz，可用于高速数据采集。 1 DS80C320 的相关寄存器 DS80C320 内部增加了一些特殊功能寄存器，其中有一个影响着外部数据访问速度： CKCON （8EH）。它的低三位（MD2 、MD1 、MD0 ）决定着访问外部数据消耗的时钟数及选 通信号的宽度，它们的关系如表 1 所列。 CKCON bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit 1 bit0 （8EH） WD1 WD0 T2M T1M T0M MD2 MD 1 MD0 表1 MD2 MD 1 MD0 指令周期/个 选通信号时钟数/个 选通信号脉宽/ns 0 0 0 2 2 80 0 0 1 3 4 160 0 1 0 4 8 320 0 1 1 5 12 480 1 0 0 6 16 640 1 0 1 7 20 800 1 1 0 8 24 960 1 1 1 9 28 1120 DS80C320 外部数据访问（MOVX ）指令默认为3 个指令周期，即上电复位时MD0 为1， 改变MD2-0 的值可以改变访问速度，MD2-0 不是直接寻址位，需要对字节（CKCON ）进行操 作。另外，DS80C320 有两个数据指针，通过DPS 寄存器的最低位来选择，进行数据埠移动时 很方便。默认的数据批奖勤罚懒为DPTR （82H，83H ）。 2 高速采集应用实例 图1 所示电路最高采样速度可达到1Msps，可以以最高速度连续采集256 个数据。采集的 数据放入双口RAM ，低速总线可以从双口RAM 另一端读出数据，因为双口RAM 的两个端口 可独立操作，故高、低速总线互不影响（这里只谈高速总线的工作情况，故图中没有画出低速 部分的电路）。在高速应用时，器件的选择很重要。单片机为DS80C320 ，工作温度范围为- 40～85℃；时钟选用24MHz 晶振；A/D 器件采用AD7822 ，精度为8 位，转换时间为420ns ； 地址锁存为74F373，D 到Q 端延时为8ns （74HCT373 为44ns ）；程序存储器