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第三章、内部存储器
1、存储器是计算机系统中的记忆设备,它主要是用来_____
A.存放数据 B.存放程序
C.存放数据和程序 D.存放微程序
2、存储单元是指______
A.存放一个二进制信息位的存储元
B.存放一个机器字的所有存储单元集合
C.存放一个字节的所有存储元集合
D.存放两个字节的所有存储元集合
3、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是________
A.便于读写数据 B.减小机箱的体积
C.便于系统升级 D.解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾
5、和外存相比,内存的特点是____
A.容量大,速度快,成本低 B.容量大,速度慢,成本高
C.容量小,速度快,成本高 D.容量小,速度快,成本低
6、某单片机字长16位,它的存储容量64KB,若按字编址,那么它的寻址范围是______
A.64K B.32K C.64KB D.32KB
7、某SRAM芯片,其存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为_______
A.64,16 B.16,64 C.64,8 D.16,16
8、某DRAM芯片,其存储器容量为512K×8位,该芯片的地址线和数据线数目为________
A.8,512 B.512,8 C.18,8 D.19,8
9、某机器字长32位,存储容量256MB,若按字编址,它的寻址范围是_______
A.1M B.512KB C.64M D.256KB
10、某机器字长32位,存储容量4GB,若按字编址,它的寻址范围是_______
A.1G B.4GB C.4G D.1GB
11、某机器字长64位,存储容量4GB,若按字编址,它的寻址范围是_______
A.4G B.2G C.0.5G D.1MB
12、某机器字长32位,存储容量4GB,若按双字编址,它的寻址范围是_______
A.4G B.5G C.8G D.2G
13、某SRAM芯片,其容量为512×8位,包括电源端和接地端,该芯片引出线的数目应为_____
A.23 B.25 C.50 D.19
14、某微型计算机系统,其操作系统保存在硬盘上,其内存储器应该采用__________
A.RAM B.ROM C.RAM 和ROM D.CCD
15、相联存储是按____进行寻址的存储器。
A.地址指定方式 B.堆栈存取方式
C.内容指定方式 D.地址指定方式与堆栈存取方式结合
16、交叉存储器实质上是一种____存储器,它能_____执行_____独立的读写操作。
A.模块式,并行,多个 B.模块式,串行,多个
C.整体式,并行,一个 D.整体式,串行,多个
17、主存储器和CPU之间增加Cache的目的是________
A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题
B.扩大主存储器的容量
C.扩大CPU中通用寄存器的数量
D.既扩大主存容量又扩大CPU通用寄存器数量
18、以下半导体存储器,以传输同样多的字为条件,则读出数据传输率最高的是_______
A.DRAM B.SRAM C.FLASH D.E2PROM
19、双端口存储器所以能高速进行读/写,是因为采用______
A.高速芯片 B.两套相互独立的读写电路
C.流水技术 D.新型器件
20、双端口存储器在______情况下会发生读/写冲突?
A.左端口与右端口的地址码不同
B.左端口与右端口的地址码相同
C.左端口与右端口的数据码相同
D.左端口与右端口的数据码不同
21、下列因素中,与Cache的命中率无关的是______
A.主存的存取时间 B.块的大小
C.Cache的组织方式 D.Cache的容量
22、下列说法中正确的是_____
A.SRAM存储器技术提高了计算机的速度
B.若主存由ROM和RAM组成,容量分别为2n和2m,则主存地址共需要n+m位
C.闪存是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器
D.存取时间是指连续两次读操作所需间隔的最小时间
23、下列说法中正确的是______
A.多体交叉存储器主要解决扩充容量问题
B.Cache与主存统一编址,cache的地址空间是主存地址空间的一部分
C.主存都是由易失性的随机读写存储器构成的
D.Cache的功能全部由硬件实现
24、下列cache替换算法中,速度最快的是______,命中率最高的是______
A.最不经常使用(LFU)算法
B.近期最少使用(LRU)算法
C.随机替换
25、在cache的地址映射中,若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上,则
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