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超高纯镉 编制说明 2014.12 《高纯镉》产品标准编制说明 任务来源及计划要求 1. 任务来源 根据中国文件的任务要求，委托峨嵋半导体材料对《高纯镉》产品标准进行制定，要求在年内完成。 2．制定单位概况 峨嵋半导体材料研究所是1964年10月以原冶金部有色金属研究院338室和沈阳冶炼厂高纯金属车间为主组建的我国第一家集半导体材料科研、试制、生产相结合的大型企业，是有色工业重点骨干企业,是国家242所重点科研院所之一，每年承担多项国家及军工重点科研专题项目。 峨嵋半导体材料研究所是四川省“高新技术企业”和省级“企业技术中心”，“国防科工委功能晶体材料加工技术应用中心”“国防科技工业先进技术研究应用中心（晶体材料加工）”主要依托单位。先后为我国电子信息、能源交通、机械电力等许多工业部门和研究领域提供了相关的半导体材料。同时向我国洲际导弹、海上发射运载火箭、人造卫星、北京正负电子对撞机及神舟5号、6号飞船等提供了关键材料，为我国国防事业做出了重要贡献，多次受到党中央、国务院、中央军委及中央相关部委的通报表彰。 峨嵋半导体材料研究所从事化合物目前已完成二十种元素材料和几十种化合物材料的生产工艺研究，形成多条产品生产线，工艺技术先进，技术基础优势明显，产品质量水平国内领先，为推动我国化合物半导体的应用研究和发展作出了贡献。高纯镉的工艺研究和生产试制始于上世纪60年代初，经过多年的研究发展，高纯镉生产规模也逐年扩大，产品纯度从5N不断提高到7N，现有高纯镉生产线工艺先进，技术成熟，产品质量稳定，可以满足Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体如CdTe、CdS、CdSe及CdHgTeCdZnTe等的制备,这些化合物用于制作红外窗口、发光二极管、电子照相感光体、薄膜太阳能电池、磷光体、场致发光器件以及红外探测器等，镉具有较大的中子吸收能力，可以用做核反应堆的控制器及屏蔽材料，多年来为国内的有关科研院所提供了大量的优质高纯度材料。 二、编制过程 1. 产品标准编制原则 《高纯镉》产品行业标准包括三方面要求，一方面新标准应力求达到较先进的标准水平，满足和保证行业应用的技术发展需要，另一方面也应结合我国材料工业实际生产水平，同时根据产品使用者的意见反馈，正确兼顾好彼此之间的关系，追求技术的先进性、指标的合理性和严谨性的统一。 本标准在制定中主要遵循以下原则： 科学性和技术先进的原则； 可行和严谨的原则； 2. 工作分工 根据标准在制定中遵循的原则，项目小组为保证其科学性、严谨性、先进性做了如下分工： 调研高纯镉行业的生产概况及工艺技术水平 调研高纯镉痕量分析水平 调研高纯镉产品标准 走访高纯镉用户，总结意见反馈 3. 征求意见单位 4. 主要工作过程和工作内容 201年，在中国有色金属标准化技术委员会组织下，成立了以峨嵋半导体材料为主的标准制定小组。在领导的关心支持下，制定小组随即开展了有关资料、信息收集和调研工作。标准制定小组经过认真调查、分析国内外高纯镉生产技术及分析检测手段，走访了国内高纯镉的主要用户，在综合研究、分析、整理数据的基础上，对技术要素、性能指标等进行了确立。2014年月，调查分析国内外本行业的生产概况及工艺技术水平及国内高纯镉痕量分析水平，同时走访高纯镉用户，进行产品质量信息收集。 201年月，调查分析国内外高纯镉产品标准，以严谨的科学态度确定数据，完成本标准的三、调研情况 镉在地壳中的含量按重量记为6×10-5%，属稀有元素，是生产锌精矿和铅精矿时的副产品，一般情况锌精矿镉品位为0.2-0.3%。 高纯镉的生产概况及工艺技术水平。 根据美国地质勘探局（USGS）的统计数据，镉的生产国主要集中在美国、中国、日本、加拿大、哈萨克斯坦、墨西哥、俄罗斯等。在中国主要生产企业分布在辽宁葫芦岛、湖南株洲、广东韶关、贵州六盘山、云南大理和兰坪等地。中国是世界上最大的镉消费国和进口国。 峨嵋半导体材料从事高纯镉的研制已有四十多年的历史，生产科研试制体系完善。2011年峨嵋半导体材料有限公司生产的高纯镉出口韩国，得到了用户的高度评价和认可，实现了产品出口的突破。 高纯镉分析水平 镉中杂质元素的含量直接影响着镉的质量，高纯镉中各杂质元素的测定在镉工业中也显得越来越重要。高纯镉中杂质元素的测定一般 4、用户意见反馈 用作红外探测器材料、红外光学材料及镀膜材料，用于国家航空航天器件上。几年来对我质量较满意，未提出过质量异议。四、主要技术内容 1. 高纯镉外观质量：产品为锭状或棒状，银白色，表面光滑，无气孔。 2. 技术参数见下表： ×10-4% Cd-07 Ag 0.005 Al 0.005 Cu 0.005 Fe 0.005 Mg 0.005 Ni 0.005 Pb