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石英衬底阳极氧化铝膜的制备及其光致发光的研究.pdf
第 卷 第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析
25 , 6 .25, .6, 832-835
Vol No pp
年 月 , 2005
2 0 0 5 6 Spectroscopy and Spectral Analysis uune
石英衬底阳极氧化铝膜的制备及其光致发光的研究
熊德平 张希清 林 鹏 王 丽, , ,
北京交通大学光电子技术研究所 信息存储 显示与材料开放实验室 北京, ~ , 100044
摘 要 报道了用15 % 2 4 为电解液 在恒温, 0 , 40 电压条件下制备阳极氧化铝膜 用原子力显,
wt H SO V
微镜观察其形貌 表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜 研究了不同电压条件下制, ,
备的氧化铝膜的常温光致发光, 并监测了其激发光谱 发现其常温光致发光相对强度和发射峰位置与阳极,
氧化电压关系密切 有相对强度变小和发射峰位置红移的趋势 在 电压条件下出现了 新的发
, , 40 V 356 nm
射峰, 而其不同的发射峰激发光谱都为 210 , 说明其来源存在关联 详细分析了, 40 电压下的阳极氧化
nm V
铝膜中出现的 356, 386 近紫外发射 并认为其发光来源于与 心和, -心有关的氧缺陷,
nm F F
主题词 氧化铝膜 阳极氧化法 光致发光; ;
中图分类号: 484.4 文献标识码: 文章编号: 1000-0593(2005)06-0832-04
O A
系 分析了, 40 V 电压条件下氧化铝膜中观察到的356, 386
引 言 nm 近紫外发射峰 并认为其来源于与氧空位有关的缺陷 由, ,
于石英是绝缘体 这说明阳极氧化法完全可以在宽禁带半导,
氧化铝是一种宽带隙材料 它具有抗辐射能力强 高介, ~ 体衬底上实现,
电常数等特点 由体材料 的阳极氧化生成的致密钝化膜,
Al
在现代工业中具有广泛的用途 在半导体衬底上的 膜阳, 1 实 验
Al
极氧化得到的Al O 钝化膜 对于半导体器件和大规模集成,
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