高压LDMOS导通电阻的高温特性分析.pdfVIP

第 期 电 子 学 报 8 Voi . 30 No . 8 年 月 2002 8 ACTA ELECTRONICA SINICA Aug . 2002 高压LDMOS 导通电阻的高温特性分析 柯导明，陈军宁 （安徽大学电子工程系，安徽合肥230061） 摘 要： 本文提出了高压LDMOS 的高温等效电路，讨论了LDMOS 泄漏电流及本征参数在25C ~ 300C 范围内 随温度变化规律 根据本文分析：源漏 结的反向泄漏电流决定了 的高温极限温度