外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ７ 犞狅犾．２９ 犖狅．７ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ７ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犑狌犾 ２００８ 狔 外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率 晶体管电流特性 王立敏 曹俊诚 　 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海　２０００５０） 摘要：外加太赫兹 （ ）场垂直入射高电子迁移率晶体管（ ），使得 中产生的载流子激发沟道内的等离子 犜犎狕 犎犈犕犜 犎犈犕犜 振荡，振荡频率处于太赫兹范围 论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响 结果表明，随着外加磁场强度的增加， ． ． 的响应率峰值发生蓝移 因此通过改变磁场能够对 的振荡响应实现有效调谐 犎犈犕犜 ． 犎犈犕犜 ． 关键词：高电子迁移率晶体管；太赫兹场；磁场；响应率 ： ； 犘犃犆犆 ７３６０犔 ２９４０犘 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犔８１４ 犃 ０２５３４１７７２００８０７１３５７０３ 　　　 　　　 示，宽带隙势垒层和窄带隙吸收层之间是电子沟道，沟 ＋ 引言 道与源和漏之间是 型接触 沿着沟道平面和垂直沟 １ 狀 ． 　 道平面的分别为 方向和 方向 等人所采用模 狓 狕 ．犛犪狋狅狌 太赫兹（ ）技术的发展正引起越来越广泛的关 型中的光信号可看成频率为 的外加太赫兹场，它沿着 犜犎狕 ω 注，通过光学方法产生 辐射是目前较有前景的手 方向从顶部表面栅 漏和栅 源之间的部分输入， 犜犎狕 ＋狕 － － ［ ］ ［］ １ ５ ６ 段之一 ～ 等人 曾经提出一种将调制的光 和 分别为势垒层和吸收层的