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低效分析培训 工艺部整合组 目录 片源类低效分析 制程类低效分析 EL图局部发暗低效分析 刻蚀污染低效分析 漏电类低效分析 报告小结 片源类低效分析 “L型黑边”低效说明 描述：L型低效主要表现为EL图边缘L型黑边，IQE长波响应差，电性能为开压、短流、Rs均偏低，特别表现为Rs比正常片子偏低。 说明：因在铸锭长晶过程中硅料中的杂质（金属杂质等）逐渐向硅锭表面聚集，靠近外部的硅锭切片后因片子边缘杂质含量较多，导致其体复合严重，少子寿命低，开压、短流均偏低，效率偏低，且因体掺杂较多，电阻率低，导致串阻偏低。 Uoc（V） Isc（A) Rs（Ω） Rsh（Ω） FF（%） Eta（%） IRev2（A) 0.611487 8.318981 0.001985 145.164 76.70863 16.03439 0.216919 0.615677 8.278952 0.002029 379.5112 76.75245 16.07576 0.058817 0.617914 8.484086 0.002448 424.6859 77.34318 16.66119 0.381465 0.618724 8.472004 0.002492 487.7633 77.36684 16.66436 0.361767 片源类低效分析 Uoc（V） Isc（A) Rs（Ω） Rsh（Ω） FF（%） Eta（%） IRev2（A) 0.570393 7.036533 0.001993 419.2288 75.66544 12.47904 0.088389 0.601308 7.946407 0.002202 103.8119 75.23771 14.77249 0.226765 0.601668 7.878487 0.001744 514.2144 76.07423 14.81796 0.062562 0.602279 7.88944 0.002044 251.1921 76.04562 14.84804 0.106866 整面发暗低效说明 描述：其EL图表现为整面发暗，电性能同L型低效均表现为开压、短流、Rs偏低，IQE长波响应差。 说明：同L型低效均因体掺杂较多导致体复合严重，少子寿命低，导致低效。 制程类低效分析 EL图局部发暗低效分析 Uoc（V） Isc（A) Rs（Ω） Rsh（Ω） FF（%） Eta（%） IRev2（A) 0.636919 8.834754 0.014966 270.8005 65.10241 15.05312 0.062834 0.639613 8.86654 0.018104 197.4926 64.73448 15.08545 0.056491 0.63775 8.85658 0.014087 265.3697 65.40202 15.17952 0.078884 0.631708 8.768479 0.012951 162.7263 67.59306 15.38485 0.256575 描述：EL图表现为局部发黑，电性能Rs异常偏大，开压、短流、漏电正常。 说明：开压、短流正常，Rs偏大，说明片子内部并未被破坏，而只是电子输出被消耗，导致输出电压电流偏低。且用HF擦拭对应位置后正常，说明只是片子表面受污染且污染物并未渗透进入氮化硅膜。具体情况有待分析。 制程类低效分析 刻蚀下料风刀污染低效分析 Uoc（V） Isc（A) Rs（Ω） Rsh（Ω） FF（%） Eta（%） IRev2（A) 0.606195 8.422159 0.002698 207.2186 78.0855 16.38162 0.110092 0.60569 8.448261 0.002732 257.8352 77.92049 16.384 0.147751 0.606045 8.404376 0.00276 410.6148 78.28709 16.38519 0.084869 0.605852 8.434946 0.002656 175.8844 78.04294 16.38828 0.121972 描述：EL图表现为整面发暗，电性能中开压、短流偏低，Rs略低，漏电正常。 说明：开压短流偏低且漏电正常，说明片子表面或内部复合严重；因当时设备维护刻蚀开机后出现低效，因此初步锁定刻蚀风刀污染；初步分析可能为刻蚀下料风刀吹进粉尘（或脏污，可能含有金属离子），当经过PE高温电离后金属离子等杂质渗透，导致表面或内部复合较大，少子寿命降低，导致开压短流下降。 制程类低效分析 漏电类低效分析 Uoc（V） Isc（A) Rs（Ω） Rsh（Ω） FF（%） Eta（%） IRev2（A) 0.607356 8.621354 0.003095 16