CMOS图像传感器光电二极管模型.pdfVIP

第37卷 第6期 电 子 器 件 VoII37 No．6 2014年 12月 ChineseJournalofElectronDevices Dec．20l4 M odelingofPhotodiodeforCMOSImageSensor Q Zhen ，LINZulun ，YEXiangping ，QIKangcheng ，WANGXiaoju (1_SchoolofOpto-ElectronicInformation，UniversityofEelctricScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China； 2．GuangdongHuizhouQualityandMe~unngSupervisionTestingInstit~e，HuizhouGuangdong516003，China) Abstract：Inordertoresearchonthephotoelectricconversionphenomenaofphotodiodef0rCMOSimagesensor，we constructanaccurateandreasonablemathematica1．physicalmode1．W eutilizetheminoritycarrierequilibrium conti— nuityequationstoestablishanone—dimensionalphysicalmodelofphotodiode．BymeansofMATLAB，therelation- shipbetweenresponsivityandwavelengthofphotodiode(includingthreetypes：two-layerstructureofn ／p—subtype andrt—well／p—subtype．andthree-layerstructureofp ／n—well／p—subtype)isfoundout．Finally，thesimulationre— sultsareanalyzedandcomparedwithpractical data．Weconfirmedthemodelcanbasicallyreflecttheactual physi— calsituation． Keywords：CMOS；imagesensor；photocurrent；photodiode；absorptioncoefficient EEACC：4250 doi：10．3969／j．issn．1005—9490．2014．06．006 CMOS图像传感器光 电二极管模型木 秦 臻 ，林祖伦 ，叶祥平 ，祁康成 ，王小菊 ， (1．电子科技大学光电信息学院，成都 610054；2．广东省惠州市质量计量监督检测所 ，广东 惠州 516003) 摘 要：为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究，需要建立正确合适的光电二极管数 学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型，求解方程后 ，代入参数在MATLAB中对两层结 构的n ／p—sub型和n—welLp／—sub型，以及三层结构的p／n—well／p—sub型二极管进行了计算模拟，得到了3种二极管响应率 与波长的关系曲线。最后将结果与实际值进行了对 比分析，确认了模型能够在一定程度上反映实际的物理情况。 关键词 ：CMOS；图像传感器；光电流；光电二极管；吸收系数 中图分类号：TP212．1；TN364．2 文献标识码 ：A 文章编号：1005-9490(2014)06—1039—04 最近几年 ，由于CMOS技术和工艺的迅速发展 ， 数学物理模型。最后通过求解方程和仿真计算，得 因而在固态图像传感器领域里，CMOS图像传感器 到3种结构光电二极管响应率与波长之间的关系。 越来越受到重视。而在CMOS传感器中主要运用的 1 建立 CMoS光电二极管模型 光电转换结构是光电二极管，其性能对整个成像系 统的性