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第22卷第3期 强 激 光 与 粒 子 束 V01.22,No.3
2010年3月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Mar.,2010
文章编号: 1001—4322(2010)03—0621—04
随机耦合模型在高功率微波效应中的应用’
闰二艳h2, 孟凡宝1, 马弘舸1
(1.中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;2.中国工程物理研究院研究生部,北京100088)
摘要: 分析了微波混沌腔体系统中关键部位感应电压的统计问题,介绍了随机耦合模型在高功率微波
效应研究中的计算方法和应用,并以计算机机箱为实验系统。开展了电磁波耦合入计算机机箱腔体的电磁干扰
问题研究,对其电路板上关键部位感应电压的统计计算和实验结果进行了比较,其结果基本一致。随机耦合模
型在波混沌系统中感应电压的统计探讨为高功率微波效应、电磁兼容等研究提供了一种新的思路。
关键词:随机耦合模型;高功率微波效应;电磁兼容;波混沌散射;微波腔
中图分类号: 0415.5 文献标志码: A doi:10.3788/HPLP0621
随着电子技术的发展,电磁干扰问题越来越严重,强电磁脉冲能量可通过各种耦合途径进入电子设备内
部。而耦合途径多样,结构复杂,要对实际效应目标的耦合问题进行全波仿真则计算难度很大;而实验测量的
成本高,周期长,不可能穷尽所有效应目标,只能在有限多个点上测量微波的耦合能量,同时许多重要的效应目
标不容易得到,往往缺乏足够多的效应数据难以对系统进行分析和计算;实际情况下高功率微波能量耦合到效
应目标的过程受内部电子元件方位、线缆分布等多种随机因素的影响;传统的效应评估方法是建立在大量实验
数据基础上,但其结果受结构的微小变化而变化较大,不具有普适用性,而我们期望对特定目标的研究结果可
以给其它具有相似结构的系统提供预测信息。所以建立了一种经济可行的方法,即引入了随机耦合模型对复
杂封装系统进行统计描述[1’7]。
1 理论基础
1.1随机耦合模型
间反演不变性系统和不具有时间反演不变性系统的阻抗、导纳和散射统计模型阳。7]。使用这一模型,仅需要知
道系统的少量参数,就可以预测腔体内关键目标点感应电流压的统计特性或计算出产生效应结果的最佳设备
参数。此模型为高功率微波效应机理和后门耦合研究提供了一种新的方法和思路,并且对通过后门耦合进入
系统产生的感应电流压具有一定的预测功能。有望在HPM效应机理和电磁兼容、抗电磁加固等方面获得的
突破。
1.2辐射阻抗归一化逆过程
借鉴经典混沌射线模型,根据随机矩阵理论,可以得到两孑L有损耗金属腔体归一化阻抗z,的表达式为[2’61
. M T
z7=一上∑万堕孚一 (1)
丌篇错咄
式中:愚。为腔体本征值;Ak:为志:邻近本征值之间的平均间隔;k为入射波的波数;国。为竹×咒的耦合矩阵,其
元素均值为0、方差为1的独立高斯分布随机数∞。;口为频率范围上腔体内对应的损耗。
根据Sameer
体散射系数s’分别为
z=jIm(Zrad)+[-Re(z喇)]“2z,]-Re(Zr=t)]“2 (2)
S7==(J—Zi专ZZi言)(I+2■言忍i寺)一1 (3)
式中:z州为腔体的辐射阻抗矩阵;I为单位矩阵;zo为连接激励孔的传输线(或波导)特征阻抗,实对称矩阵。
1.3计算方法
现代电子学系统~般都具有复杂封装腔体,所处电磁环境也比较复杂。但研究中我们可以将其简化成只
-收稿日期:2009—09—07;修订日期:2009—12-09
作者简介:曰二艳(1978一),女,博士研究生。主要从事高功率微波效应机理研究yaneryan_2002@163.conl.
622 强 激 光 与
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