交流中频溅射电源和平面双阴极技术在Low-E玻璃生产与应用.pdfVIP

交流中频溅射电源和平面双阴极技术 在Low-E玻璃生产中的应用 杨沐芳 格兰特工程玻璃(中山)有限公司 广东中山市 528437 摘要 通过介绍交流中频溅射电源和平面双阴极技术的技术优势，从而在镀膜生产线．卜加以推广 和应用。 关键词 直流溅射技术交流中频溅射电源氧分压模糊逻辑控制技术 1 前言 格兰特公司的磁控溅射镀膜生产线是20世纪90年代初从德国引进的，受原有设备的配置所限， 2003年前，只能生产阳光膜玻璃。随着LOW-E玻璃这种新型建筑节能产品的问世，经过我公司科研 人员的研究和论证，2003年初，我公司率先在国内对现有镀膜生产线进行技术改造，引进国外先进 的交流中频电源和平面双阴极技术。改造成功后，既能生产阳光膜玻璃，又能生产LOW—E膜玻璃。 技改到现在，设备～直运行稳定，并且具有生产效率高、性能稳定的优点。LOW—E玻璃颜色均匀， 膜层牢固，已成为我公司的主流产品。技术改造取得圆满成功。 2直流溅射技术存在的问题 从80年代末到21世纪初，大面积镀膜制备技术一直采用直流控制技术，这一技术～直无法解 决高电弧放电、阳极消失以及靶面中毒现象，利用这一技术无法高效沉积SnOx、SiNx、TiOx等绝缘 物质。 2．1靶材的高电弧放电问题 在反应溅射中，工作气体与被溅射金属反应并在玻璃表面形成化合物，同时，该效应也发生在 靶材的非溅射区，这些化合物大多数是绝缘的，无法疏导带电粒子而使其集结在靶材表面上，当充 电达到一定程度，就会使材料放电产生高电弧从两破坏靶材，影响膜层均匀性甚至掉靶造成玻璃脱 膜。 2．2阳极消失问题 反应溅射产生的绝缘层也会给阳极带来问题，随着反应溅射的进行，阳极表面也会镀E一层绝 缘层，影响其导电功能。当整个阳极被一层绝缘层完全镀覆时，会使其彻底失去作为导电体的功能， 这就称为“阳极消失”。在阳极的作用逐步消失的过程中，等离子体阻抗不断增加，造成工艺参数不 稳定，成膜重复性很差。 2．3靶面中毒现象 工艺气体在玻璃表面反应成膜的同时，也会在磁控靶材表面产生化学反应～靶面毒化。使得靶 面上金属粒子的蒸发速度人幅度降低，反应气体相对富余，进一步恶化磁控靶材表面的毒化。直流 磁控溅射靶的抗毒化能力弱，在磁控靶工作参数长时间维持不变时，靶面会缓慢毒化，导致反应极 不稳定。 3交流中频溅射的技术优势 由于直流溅射存在上述的一些缺点，造成溅射工艺不稳定。用直流溅射电源就很难控制连续溅 射，保持膜层均匀、稳定。在Low-E玻璃的生产过程中，需要高效沉积SnOx、SiNx等各种介质膜， 工艺要求高，溅射必须保持稳定，直流溅射显然不是最佳的工艺手段。通过试验和研究，我公司决 172 定引进当今最先进的交流中频溅射电源和平面双阴极技术，采用交流中频电源替代直流电源，孪生 双靶代替单靶。消除了直流溅射所碰到的高电弧和阳极消失现象，保证溅射工艺的稳定和溅射生产 的连续进行。 3．1交流中频双阴极溅射的工作原理 交流中频双阴极溅射装置的溅射示意如图1。 中频交流电源 圈1 交流中频双阴极溅射装置的溅射示意图 其工作原理是左边阴极在电源的负半周时，作为暂时阴极，右边阴极此时电源供给为正半周， 作暂时阳极。暂时阴极的靶材被氩离子轰击，溅射出原子和产生二次电子，二次电子向为暂时阳极 的右边阴极靶上飞去，中和阳极表面电子。当左边阴极在电源供给为正半周时，它作为暂时阳极， 而右边阴极此时电源供给为负半周，作为暂时阴极。因此在实际工作中，在正弦交流电的作用下这 两个平面靶互为阴阳极，产生连续不断的溅射，由于靶表面被中和，不会产生溅射绝缘层，虽然靶 周围真空室被溅射物覆盖，但阳极始终存在，不会消失。双阴极又避免了高电弧放电现象，因此这 一中频交流双阴极溅射装置得于连续稳定运行。 3．2中频交流电源的技术参数 沉积时，可提高离子的轰击效果，有利于提高膜层的结合力和致密性。 3．3中频交流电源溅射的特点 3．3．1沉积速率高 根据不同材料，中频交流电源溅射的沉积速率是直流溅射的2～6倍，见表1。 表1 用孪生靶溅射的各种化合物的沉积速率 磁控阴极为3750mm的盯功率沉积速率比 在基片速度为1m／min下的薄膜厚度 材料