多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展.pdfVIP

维普资讯 第29卷 第3期 电 子 器 件 v01．29 No．3 2006年 9月 ChineseJournalofElectI0n‘Devices Sep．2006 OnDegradationModelsandMechanismsinPoly-SiliconThinFilm Transistors XUEMin，WANGMing-xiang (Dept．ofMicroelectronics，SoochowUniversity，Suz．houJiangsu215021，China) Abstract：Severalcommon degradationphenomenaweresummarized from somerecenttypicalresearch workonthereliabilityoflow-temperatureprocessedpoly-siliconthinfilm transistors，whichincludesself- heating，hotcarriersandnegativegatebiastemperatureinstability．Degradationmechanismsandmodels arepresentedaswellasconclusionsoftheirinfluencesonvariousdeviceparametersandtypicalstresscon- ditions．Moredetaileddiscussionsonself-heatingandhotcarrierseffectsaremadeaswellascomparisons betweenthem．Therecoveryphenomenaunderreversemodearealsointroduced．Moreover，hotcarriers degradationunderdynamicstressanddegradationinsomespecialstructureddevicesarealsopresented． Keywords：low—temperatureprocessedpoly-siliconTFT；reliability；self-heatingdegradation；hotcarriers degradation． E】 C：7850G；7360J 多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展 薛 敏，王明湘 (苏州大学电子信息学院微电子系，江苏 苏州 215021) 摘 要：结合近几年来国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作，对其中几种常见的 退化现象；自加热、热载流子和负偏置温度不稳定性做了分析和归纳，介绍了其退化机制及退化模型，并总结了它们在一般情 况下对器件性能的影响及各 自的典型应力条件。本文针对 目前研究较多的自加热退化和热载流子退化机制做了更深入的探 讨，比较了两者的差别，并介绍了它们在反转模式下出现的退化恢复现象。此外，文中还介绍了交流应力下的热载流子退化 现象，以及在一些特殊器件结构中的退化现象。 关键词：低温多晶硅薄膜晶体管；可靠性；自加热退化；热载流子退化 中图分类号：TN4；O47 文献标识码：A 文章编号：1005-9490(2006)03-0654-06 低温多晶硅薄膜 晶体管 (ThinFilm Tran- 比，多晶硅TFT具有更高的迁移率(通常高出二个 sistor，TFT)技术的不断进步，推动了液 晶显示 数量级)和驱动电流，因此采用多晶硅TFT不仅能 (Liquidcrystaldisplay，L(、D)技术向着高分辨率和 够制造出高清晰、高分辨 LCD，而且能够将外围电 高清晰度的方向发展。低温多晶硅技术是指在低于 路和像素电路集成在一起，进而能够基于 TFT工 600℃的条件下制备多晶硅薄膜及薄膜晶体管的工 艺实现将处理器，存储器，驱动电路及像素电路整合 艺技术。与 目前LCD中普遍采用的非晶硅TFT相