应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术.pdfVIP

显微、测量、微细加工技术与设备 ， ， !#$%#%’( !()*$(+(,- !#$%.)/$#)-%, 0 12*’+(,- 应用于!#$% 器件的 深亚微米 形栅光刻技术 % 谢常青，陈大鹏，李 兵，叶甜春 （中国科学院微电子中心，北京 !! ） 摘要：#$%’ 器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波 毫米波系统。当( #$%’ 器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会影响#$%’ 器件的性 能。为了解决这个问题，一种具有大截面面积而底部长度却很小的’ 形栅结构通常被用于制作 #$%’ 器件，因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用 的制作深亚微米 形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、 射线光刻技术进行了比较 ’ ) 分析。对于光学光刻技术，通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术，它的制作成本低，但 是很难用于制作深亚微米’ 形栅；对于电子束光刻技术，通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的 多层胶技术，虽然它的栅长可以制作到非常小，但是它的生产成本非常高，而且它的生产效率 非常低；对于 射线光刻技术，它不仅可以用于制作深亚微米 形栅，而且它的生产效率非常 ) ’ 高， 形栅的形状可以非常容易控制。 ’ 关键词： ； 形栅；光学光刻；电子束光刻； 射线光刻 #$%’ ’ ) 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） !#$%’ ( )*’ )+,’’* -$$- $’+$$#.+$, !#$%’()*+,- .$%/0#1 203 4)3/,2+0#/5 3*/-,4,25 6,+ 789:. 1;)* /01 23456+7856 ，291 :4+;56 ，=0 856 ，?1 !845+@3A5 （ ， ， ， ） !#$%’#($%)#* + ,- .)($ /0 .0)* 1 #2345 %6 7#)#* 89 ): )$$$ )$ .0)2 ： （ ） ’%3+0*3 BCADEFEG;38@ 3863 H@IGE5 FEJ8H8IK IG45C8CIEG B91L! DM8@ 45D 8IC 85@EG;EG4I8E5 85 3863 NG7A5@K FE5EH8I38@ 85I6G4ID @8G@A8IC 4G O8DHK ACD 85 FEDG5 F8@GEO4MP F8HH8FIG+ O4M CKCIFQ38H I3 64I H56I3 EN B91L! DM8@ 8C 4D7A4IHK C3EGI ，I3 ;4G4C8I8@ GC8CI45@ 4@GECC I3 O8DI3 EN I3 64I H8F8IC I3 B91L! DM8@ ;GNEGF45@2E5C7A5IHK ，!+C34;D CIGA@+ IAG O38@3 34M 4 H4G6 @GECC+C@I8E54H 4G4 JAI 4 C3EGI NEEI;G85I 34C J5 4;;H8D NEG I3 N4JG8+