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第4章 光辐射的探测技术 本章主要讨论有关光电探测方面的一些基础知识和基本理论。 §1 光电探测器的物理效应 光电探测器——能把光辐射量转换成另一种便于测量的物理量的器件。 一、光子效应和光热效应 1. 光子效应 指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态的改变。 特点：光子效应对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。 2. 光热效应 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。 特点：原则上对光波频率没有选择性，响应速度一般比较慢。 （在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外线辐射的探测。） 二、光电发射效应 在光照下,物体向表面以外的空间发射电子（即光电子）的现象。 能产生光电发射效应的物体，称为光电发射体，在光电管中又称为光阴极。 爱因斯坦方程： 截止波长： 三、光电导效应 光导现象——半导体材料的体效应 光辐射照射外加电压的半导体，如果光波长λ满足如下条件： 式中是禁带宽度, 是杂质能带宽度。 光子将在其中激发出新的载流子(电子和空穴)。这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了一个量和。这个新增加的部分在半导体物理中叫非平衡载流子,我们现在称之为光生载流子。显然, 和将使半导体的电导增加一个量,我们称之为光电导。相应于本征和杂质半导体就分别称为本征和杂质光电导。 四、光伏效应 光伏现象——半导体材料的“结”效应 光照零偏pn结产生开路电压的效应——光伏效应——光电池 光照反偏——光电信号是光电流——结型光电探测器的工作原理 ——光电二极管 五、温差电效应 当两种不同的配偶材料（可以是金属或半导体）两端并联熔接时，如果两个接头的温度不同，并联回路中就产生电动势，称为温差电动势。 提高测量灵敏度——若干个热电偶串联起来使用——热电堆 六、热释电效应 热释电材料——电介质——一种结晶对称性很差的压电晶体——在常态下具有自发电极化(即固有电偶极矩)。 热电体的||决定了面电荷密度的大小，当发生变化时，面电荷密度也跟着变化。 | |值是温度的函数——温度升高——| |减小。 升高到Tc值时,自发极化突然消失,TC称为居里温度。 热释电体表面附近的自由电荷对面电荷的中和作用比较缓慢，一般在1～1000秒量级。 热释电探测器是一种交流或瞬时响应的器件。 七、光电转换定律 光辐射量转换为光电流量的过程——光电转换。 D——探测器的光电转换因子 式中：——探测器的量子效率 基本的光电转换定律： (1)光电探测器对入射功率有响应,响应量是光电流。因此,一个光子探测器可视为一个电流源。 (2)因为光功率P正比于光电场的平方,故常常把光电探测器称为平方律探测器。或者说,光电探测器本质上一个非线性器件。 §2 光电探测器的性能参数 一、积分灵敏度R 灵敏度也常称作响应度，它是光电探测器光电转换特性的量度。 光电流（或光电压u）和入射光功率P之间的关系称为探测器的光电特性。 灵敏度R定义为这个曲线的斜率： Ri——电流灵敏度（积分电流灵敏度） Ru——电压灵敏度（积分电压灵敏度） 二、光谱灵敏度Rλ 相对光谱灵敏度： 光电探测器和入射光功率的光谱匹配非常重要 三、频率灵敏度Rf（响应频率fc和响应时间） 如果入射光是强度调制的，在其他条件不变下，光电流f 将随调制频率f的升高而下降，这时的灵敏度称为频率灵敏度Rf 。 ——探测器的响应时间或时间常数，由材料、结构和外电路决定： 四、量子效率η 光谱量子效率： 五、通量阈Pth和噪声等效功率NEP 通量阈——探测器所能探测的最小光信号功率 噪声等效功率NEP——单位信噪比时的信号光功率 信噪比SNR定义为： 六、归一化探测度D*(读作D星) 探测度D： 探测器光敏面积A和测量带宽△f对D值影响大 探测器的噪声功率———— 探测器的噪声功率—————— 定义： ——归一化探测度 给出D*值时注明响应波长λ、光辐射调制频率f及测量带宽△f,即D*(λ, f, △f)。 七、噪声 依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致分为散粒噪声、热噪声和低频噪声三类。 1 7