铜表面修饰硅烷膜的结构和性能研究.pdfVIP

铜表面修饰硅烷膜的结构与性能研究 林克发 黄令.杨防祖许书楷周绍民 (厦门大学化学系，福建 厦门，361005) 在金属墓底上组装一层排列紧密的有机硅烷衍生物分子层，可以使金属的表面性质发生很大的变化， 其自组装是墓于有机硅烷化合物与墓底表面经墓的结合，同时伴随着横向的Si-O-Si形式的交联能够形 成一个较厚的膜或隔离层，对金属的腐蚀均有十分良好的缓蚀作用1.‘=1.3-筑墓丙墓三甲氧基硅烷((CH,0) ,Si-(CH,)r-SH)(MPTS)由于一端具有硫醉结构而另外一端为疏水性的甲氧墓被用于自组装膜的研究.本 文拟在经电化学精细抛光后的铜电极表面制备3-琉基丙基三甲氧墓硅烷膜，采用红外发射光谱研究膜的 表面结构，运用电化学技术测定MPTS膜/Cu电极在0.5MNaOH中对耐腐蚀性能. 1、实验方法 1.1MPTS自组装膜电极的制备 铜电极(纯度”.9%以上)用环氧树脂密封制成，电极面积为lcm.进行测量前铜电极用1,4,6金‘相 砂纸逐级打磨抛光，然后用丙酮、无水乙醉除油，经电化学抛光后再用去离子水和无水乙醇冲洗干净. 立即放入不同浓度的3-琉墓丙墓三甲氧墓硅烷乙醉溶液溶液中组装，组