20140422硅光电池特性研究实验讲义.pdf

实验S-3-5 硅光电池特性的研究 实验S-3-5 硅光电池特性的研究与应用 硅光电池是根据光生伏特效应而制成的光电转换元件，它和同类元件，如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比，有很多优点：如光谱响应范围宽、性能 稳定、线性响应好、使用寿命长、转换效率较高、耐高温辐射、光谱灵敏度和人眼的灵敏度 相近等。因此，它在光电技术、自动控制、计量检测、光能利用等很多领域得到广泛的应用。 通过硅光电池光学和电学性质的实验研究，有助于了解用以表征光电器件性能的研究方法及 其技术手段。 一、实验目的 1. 学习数字式多用表的使用。 2. 了解硅光电池的基本特性。 3. 用马吕斯定律检验硅光电池的线性响应。 4. 用硅光电池的偏置特性设计调光电路。 二、实验原理 1. 半导体P-N结及其偏置特性 半导体中掺入微量的的三价（五价）杂质元素，就形成了 P 型（N 型）半导体。把 P 型硅和N 型硅互相紧密地衔接就组成一个P-N 结，这种结是同质结。硅光电池P-N 结的制 造，一般是在P 型硅片上扩散磷形成N 型薄层，这就是N/P 型电池。也可在N 型硅片上扩 散硼形成P 型薄层，这就形成P/N 型电池，如图1所示。 图1 硅光电池PN 结 由于杂质的激活能量很小，在室温下杂质差不多都电离成受主离子NA-和施主离子ND+ 。 如图2(a)所示，Θ代表得到一个电子的三价杂质（例如硼）离子，带负电；⊕代表失去一 个电子的五价杂质（例如磷）离子，带正电。由于P 区有大量空穴（浓度大），而N 区的空 穴极少（浓度小），即P 区的空穴浓度远远高于N 区，因此空穴要从浓度大的P 区向浓度小 的N 区扩散，并与N 区的电子复合，在交界面附近的空穴扩散到N 区，在交界面附近一侧 的P 区留下一些带负电的三价杂质离子，形成负空间电荷区。同样，N 区的自由电子也要向 P 区扩散，并与P 区的空穴复合，在交界面附近一侧的N 区留下一些带正电的五价杂质离 1 | 同济大学物理实验中心 实验S-3-5 硅光电池特性的研究 子，形成正空间电荷区。这些离子是不能移动的，因而在P 型半导体和N 型半导体交界面 两侧形成一层很薄的空间电荷区，也称为耗尽层，这个空间电荷区就是PN 结。 （a ） (b) ( C ) 图2 半导体PN 结在零偏、负偏、正偏下的耗尽区 形成空间电荷区的正负离子虽然带电，但是它们不能移动，不参与导电。而在这个区域 内，载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高。此外，这个区域内多数载流子已扩散到对 方并复合掉了，或者说消耗尽了，所以空间电荷区有时称为耗尽层。 正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场，成为内电场，其方向从带正电的N 区指向带 负电的P 区。由P 区向N 区扩散的空穴在空间电荷区将受到内电场的阻力，而由N 区向P 区扩散的自由电子也将受到内电场的阻力，即内电场对多数载流子（P 区的空穴和N 区的自 由电子）的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。 若在PN 结上加正向电压，即外电源的正极接P 区，负极接N 区，也称为正向偏置。此 时外加电压在PN 结中产生的外电场和内电场方向相反，扩散和漂移运动的平衡被破坏。外 电场驱使P 区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N 区的自由电子进入空 间电荷区抵消一部分正空间电荷。于是整个空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子的 扩散运动增强，形成较大的扩散电流（正向电流），PN 结处于导通状态。PN 结导通时呈现 的电阻称为正向电阻，其数值很小，一般为几欧到几百欧。在一定范围内，外电场愈强，正 向电流（由P 区流向N 区的电流）愈大，这时PN 结呈现的电阻很低。正向电流包括空穴电 流和电子电流两部分。空穴和电子虽然带有不同极性的电荷，但由于它们的运动方向相反， 所以电流方向一致。外电源不断的向半导体提供电荷，使电流得以维持。 若在PN 结上加反向电压，即外电源的正极接N 区，负极