一种通用低成本大功率高亮度LED封装技术.pdfVIP

第 37 卷第 3 期 微 电 子 学 Vol37 , No . 3 2007 年 6 月 Micr oelect r onics J un2007 一种通用低成本大功率高亮度 L ED 封装技术 唐政维 , 关 　鸣 , 李秋俊 , 董会宁 , 蔡雪梅 (重庆邮电大学 光纤通信技术重点实验室 ;重庆邮电大学 光电学院 , 重庆 　400065) 　 摘 　要 : 　提出了一种热传导高 、热膨胀匹配良好 、低成本 、大功率 、高亮度 L ED 封装技术 。该技术 采用光电子与微电子技术相结合 ,利用背面出光的L ED 芯片 ,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护 电路的硅基板上 。由于在封装中引入了热膨胀过渡层 ,在保证 良好热膨胀匹配的同时 ,热阻增加 少 。采用该封装技术封装的白光 L ED ,发光稳定 ,光衰小 ,长期寿命高 。 关键词 : 　大功率 L ED ; 白光 L ED ; L ED 封装 ; 热膨胀匹配 ; 热阻 中图分类号 : 　TN 302 ; TN 305 . 94 　　　　　文献标识码 : 　A 　　　　　文章编号 (2007) 　 Packaging Technology f or LowCost and HighPower/ HighBrightness L ED ’s TAN G Zhengwei , GU AN Ming , L I Qiuj un , DON G Huining , CA I Xuemei ( ) S chool of Op toelect ronics , Chong qi ng Uni vers ity of Pos ts an d Telecom m unicat ions , Chong qi ng 400065 , P. R . Chi na 　 A p ackaging t echnolo gy for low co st , highpower and highbright ness L ED ’s wit h high heatconduct Abstract : 　 ance and wellmatched t hermal exp an sion i s p ropo sed , in which L ED chip s reflecting light f rom back side are sold ered onto a silicon sub st rat e wit h bidirectional sur ge and st atic p rot ection circuit by combining p hotoelect ronics wit h microelect ronics t echnology . A t hermal exp an sion filt ering t ran sition layer i s int roduced in t he p ackage , which re duces t he heat resi st ance while en suring goo d match of t hermal exp an sion . Whit elight L ED ’s p ackaged in t hi s t ech nolo gy have st able luminescence , small att enuation and ext ended lifetime .