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BSIM3v3.22 手册 BSIM3v3.22 使用手册 目 录 第一章 简介 3 1.1 总说明4 1.2 手册的组织4 第二章 基于物理的I-V模型的推导 6 2.1 非均匀掺杂和小沟道效应对阈值电压的影响6 2.2 迁移率模型13 2.3 载流子漂移速度15 2.4 体电荷效应15 2.5 强反型漏极电流（线性区）16 2.6 强反型电流与输出电阻（饱和区）17 2.7 亚阈漏极电流21 2.8 有效沟道长度与沟道宽度22 2.9 多晶耗尽效应23 第三章 统一的I-V模型 26 3.1 统一的沟道电荷密度表达式26 3.2 统一的迁移率表达式28 3.3 统一的线性电流表达式29 3.4 统一的Vdsat表达式30 3.5 统一的饱和电流表达式30 3.6 适用于所有Vgs和Vds工作区的单一电流表达式31 3.7 衬底电流32 3.8 对Vbs 的注释33 第四章 电容的建模 33 4.1 对电容模型的一般描述34 4.2C-V模型的几何学定义35 4.3 本征电容模型的建模35 4.4 电荷厚度电容模型40 4.5 非本征电容43 第五章 非准静态模型 45 5.1 背景知识45 5.2 NQS模型45 5.3 模型的表达式45 第六章 参数提取 49 第 2 页 6.1 优化策略49 6.2 提取策略49 6.3 提取流程49 6.4 对参数提取的注释55 第七章 测试基准结果 58 7.1 测试基准类型58 7.2 测试基准结果58 第八章 噪声的建模 64 8.1 闪烁噪声64 8.2 沟道热噪声65 8.3 噪声模型的标识66 第九章 MOS二极管的建模 67 9.1 二极管的I-V模型67 9.2 MOS二极管的电容模型68 附录A. 参数列表 71 A.1 模型控制参数71 A.2 DC参数71 A.3 C-V模型参数74 A.4 NQS参数76 A.5 dW 与dL参数76 A.6 温度参数77 A.7 闪烁噪声模型参数78 A.8 工艺参数78 A.9 几何范围参数79 注1. 关于工艺参数 80 第一章 简介 第 3 页 1.1 总说明 BSIM3v3 是最新的基于物理的深亚微米 MOSFET 模型，适用于数字和模拟电路设计，由 Berkeley 加州大学的器件组开发。BSIM3v3 相比上一个版本（BSIM3v2 ）做了大量的修改，包 括： 用一个I-V表达式描述从亚阈到强反型以及从线性区到饱和区的电流和输出电导。这 就保证I 、G 、G 及其导数在所有V 、V 和V 偏置条件下都是连续的。除此之外， ds ds m gs ds bs 还消除了器件工作边界处的kink和glitch 。 考虑了宽度对体电荷和源/漏电阻（Rds ）的影响，极大地增加了窄沟器件的建模精度。 W 和L 对ΔW和ΔL 的影响。这提高了模型用一组参数拟合各种不同宽长比的能 drawn drawn 力。 使用了新的电容模