大动态范围高线性JFET压控电阻.pdfVIP

第34巷第4期 南矸大学学报‘自然科学) vo】31、o， NdtE‘ralmmt 2nc、、年12R ActnsclPnttmm Jntt—trsttatl5N“Ht…Hill Uec．2n叽 文章编号：叫6j7942(201)04一∞65一u3 大动态范围高线性JFET压控电阻 宋树贵 柏 松 (南丌大学徽电子科学系．天津，300071) 摘 要 工作在二极管区的JFET广泛用作可变电阻，但是其狭小的工作范围和，o～vDs的非线性关系，限制了它的 应用本文用简单的方法，扩大了可变电阻医的动态范嗣．消除了非线性，并能实现压控正电阻和压控负电阻． 美攮词：压控电阻；结型场效应晶体管；动态范围 中圈分类号：TM546 文献标识码： A O引 言 当结型场效应晶体管(JFET)工作在三极管区(或可变电阻区)时，其漏源之间的沟道电阻与栅源电压 ’7cc有关，因而相当于一个压控电阻“一．JFF’l、的这一特性在仪器仪表和自动控制系统中得到广泛应用，然 而性能并不理想．首先．压控电阻两端的电压差必须很小，即电压动态范围小；其次，沟道电阻的电流与端 电压不是线性关系．即对于固定的v。。．沟道电阻的值随其端电压而变．为了克服这两个缺点，文献上曾提 出·些改进方法7．本文提出一种简单方法，它能有效地扩大沟道电阻的电压范围，消除非线性，而且既能 实现正的压控电阻．义能实现负的压控电阻． 1 工作原理 JFET有截止区，夹断区和三极管区(可变电阻区)i个工作区．可变电阻区的工作条件是源、漏之间 有连续沟道．即满足(以P沟JFF，I~为例) VGsVr．VDsVGsVP (I) 当yDs很小，源漏之间的沟道宽度是均匀的，沟道宽度仅决定于VDs时，源漏之间的电阻RDs仅与V。s 有关．是一个理想的压控电阻．但是．随着Vos的增人．靠近漏区的沟道宽度比源区的窄，所以对于固定的 ’7。。，。～V．。的关系偏离线性。忍。不再是恒定的．而是随Vr“的增大而增大． JFET在可变电阻区的特性公式为 』D一!；芋[(v。；一¨)v。。一华] (2) 式中，啉是饱和漏电流，v，是夹断电压，V。s是栅源电压，V嘴是漏源电压． 图l是P沟JFET在可变电阻区的特性曲线¨：．当lV川V㈦～’7，，v。．。V，时，进入夹断区．由图l 可以看到．用JFET作压控电阻时存在两个缺点． 由(2)式知．漏源之间的电阻为 一畿一瓦志‰ ㈤ 12¨4 收稿日期：2(】()o 作者简介-宋树贵(194j)．男，河北丰南人．副教授，主要从事Ic设计及工艺研究 万方数据 ·66· 南开大学学报(自然科学版J 第34卷 由于式(3)中含有’7-，一项．因此对于任意给定的¨，s．电阻兄，一不 但与l7-；有关，还与Vns有关，因此，r，与1，隔呈非线性荚系． 一yp～÷y，(一y，t峙) 当JFET用作压控电阻时，它必须工作在三救管区．i极 y‘璐 管区的工作条件如(1)式所示．仅当V，“很小时才成立．这就意 l L一彳 味着其输入电压的动态范围很窄． 1．1非线性补偿 j乡； 要消除电阻的非线性．必须消除(2)式中的V