《半导体薄膜材料设计和制备课程设计》课程教学大纲.doc

《半导体薄膜材料设计和制备课程设计》课程教学大纲 课程编号总学时数：一周 总学分数：1 课程性质：专业必修课 适用专业：应用物理学 一、课程的任务和基本要求： （一）课程设置目的 本课程根据半导体薄膜材料生长的物理机制，设计半导体薄膜材料生长工艺，并制备相关材料，是半导体材料制备的基础课程设计。 （二）教学基本要求 1、掌握制备ICPCVD法薄膜材料的工艺和方法； 2、掌握磁控溅射法制备薄膜材料的工艺和方法； 3、掌握溶胶-凝胶法制备薄膜材料的工艺和方法； 4、掌握半导体材料基本表征技术。 二、基本内容和要求： 本课程分三部分，由学生任选一部分内容。 第一部分 ICPCVD法薄膜材料的工艺和方法 ICPCVD等离子体的形成； ICPCVD制备硅薄膜的化学动力学； 硅薄膜生长的动力学过程控制； 硅薄膜XRD表征。 设计后，应能达到以下要求： 1、熟悉电感耦合产生等离子体的机制; 2、掌握CVD法制备薄膜材料的工艺和方法; 3、掌握薄膜材料的XRD表征方法。 第二部分 次控溅射法制备薄膜材料的工艺和方法 用X射线衍射仪对制备的薄膜进行测试，观察上述实验条件改变对薄膜晶体结构的影响； 用原子力显微镜对制备的薄膜材料表面进行测试，分析不同实验条件对薄膜形貌的影响； 对实验过程和结果进行总结。 设计后，应能达到以下要求： 1. 掌握磁控溅射设备的使用方法；