单晶硅的表面光电性质研究.pdfVIP

( ) 第 31 卷 第 3 期 河南大学学报 自然科学版 Vol. 31 　No. 3 2001 年 9 月 Journal of Henan University (Natural Science) Sep. 2001 单晶硅的表面光电性质研究 1 1 1 1 1 2 1 1 蒋晓红 ,张兴堂 ,彭淑鸽 ,程 轲 ,刘 涛 ,马宗峰 ,黄亚彬 ,杜祖亮 ( 1. 河南大学 润滑与功能材料重点实验室 ,河南 开封 475001 ; 　2. 郑州煤炭职工地质学院 ,河南 郑州 450053) 摘 　要 : 建立了有源、无源表面光电压谱测量系统 ,并对单晶硅的表面光电转移过程开展了研究 ,为进一步研究复 合纳米结构半导体材料表面界面光电荷转移过程 ,研制高性能光电转移纳米结构材料提供了实验方法. 关键词 : 表面光电压谱 ; 锁相放大器 ; 光电荷转移 ( ) 中图分类号: O472. 3 　　　文献标识码 : A 文章编号 : 1003-4978 2001 03-0017-04 Surface Photovoltaic Properties of Monocrystal Silicon 1 1 1 1 1 J IANG Xiao-hong , ZHANG Xing-tang , PENG Shu-ge , CHENG Ke , LIU Tao , 2 1 1 MA Zong-feng , HUANG Ya-bin , DU Zu-liang ( 1 . Key Laboratory of Lubrication and Functional Material , Henan University , Kaifeng 475001 , Henan , China; 2 . Zhengzhou Geologic Institute of Coal and Employee , Zhengzhou 450053 , Henan , China) Abstract : In this article , we measured the SPS of two kinds of monocrystal silicon with the aid of surface photovoltaic meter , which was under the conditions of an external electric field and without external field. Therefore , we studied the surface photovoltaic properties of p-type and n -