集成答案.docVIP

第2章 1 画出双极晶体管的两种工作状态 2 用EM模型来分析三层两结结构晶体管的电流电压关系 3 集成双极晶体管的无源寄生效应 在实际的集成晶体管中存在着电荷存储效应Cj,Cd和从晶体管有效基区到晶体管各引出端之间的欧姆体电阻，它们会对晶体管的工作产生影响，称为无源寄生效应 4 横向pnp管的寄生影响 5 衬底pnp管的特点 1.纵向结构2.衬底电位固定3.不能加n+ 埋层，最好增加p+埋层4.无有源寄生5.基区(外延层)上最好覆 盖n+扩散层 另一种答案： (1)衬底PNP管的集电区是整个电路的公用衬底，在直流应用时接最负电位，交流应用时接地电平。所以只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 （2）其晶体管发生在纵向，所以又称纵向PNP管。其临界电流Icr比横向PNP管的大。 （3）因为衬底作为集电区，所以不存在有源寄生效应，故可以不用埋层。 （4）基区电阻大，特别是外基区电阻大。减小外基区电阻的方法就是将B、E结短接。 B、E结短接的好处还有：可减小自偏置效应；有助于减小表面复合的影响。 （5）衬底PNP管的集电极串联电阻和集电结电容较大。 6 集成电路中常用的 的结构 7 SBD和一般的二极管的区别 （1）SBD的反向饱和电流IDS大，约高2-5个数量级、（2）SBD的正向导通压降Vth小，约为0.45V，一般PN结的约为0