电工第二章2.6【荐】.pptVIP

3、动态分析 ①输入电阻 + － + － + － + － 南京航空航天大学 § 2-6 场效应管及其放大电路 (FET) Field Effect Transistor 绝缘栅型场效应管基本结构和工作原理 绝缘栅型场效应管特性曲线 场效应管放大电路静态分析 场效应管放大电路动态分析 场效应管与晶体管的比较 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应控制输出回路电流的一种半导体器件。 普通晶体管 仅靠半导体中多数载流子导电，故称单极型晶体管 输入电阻较低，仅有102~104欧姆。 输入电阻较高，高达109~1014欧姆。 场效应管 电压控制元件。 电流控制元件。 结型场效应管(JFET) Junction Field Effect Transistor 绝缘栅型场效应管(IGFET) Insulated Gate Field Effect Transistor 一、绝缘栅型场效应管分类（MOS管） ——Metal Oxide Semiconductor 二、增强型绝缘栅型场效应管（N沟道） P型硅衬底 S G D B SiO2 绝缘层 G S D B 1、结构 2、工作原理 P型硅衬底 S G D B N S D P N P型硅衬底 S G D B 当 UDS =0， UGS 0 时，栅极的金属板与P型硅衬底之间形成了一平板电容器。 由于绝缘层（ SiO2）很薄，很小的UGS 就能产生很强的电场（方向垂直向下），该电场吸引P型硅衬底中的电子（少子）到表层，与空穴复合形成由负离子组成的耗尽层 如果增强UGS 即增强电场，由于吸引了更多的电子，在耗尽层与SiO2之间形成一个N型层——反型层。 该反型层即为沟通源区与漏区的N型导电沟道。 把开始形成导电沟道时所需的UGS 称为开启电压UGS （th) P型硅衬底 S G D _ _ _ N沟道 耗尽层 P型硅衬底 S G D N沟道 3、输出特性曲线 uGS愈大，预夹断时的uDS值也愈大。 ①可变电阻区（也称非饱和区） ②恒流区（也称饱和区） ③夹断区 4、转移特性 IDO是uGS =2 uGS(th) 时的 iD 三、耗尽型绝缘栅型场效应管（N沟道） G S D 在 范围内，耗尽型场效应管的转移特性可近似用下式表示，对于耗尽型，在 uGS情况下产生预夹断时的漏极电流定义为IDSS。 四、P沟道MOS管 增强型 耗尽型 与N沟道MOS管相对应，P沟道增强型MOS管的开启电压uGS(th) 0 ，当uGS uGS(th)时管子才导通，漏-源之间加负电源电压；uGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制，漏-源之间也应加负电压。 G S D G S D 五、场效应管主要参数 除IDSS ， uGS(off) ， uGS(th) ， RGS等外，还有一个表示场效应管放大能力的参数，即低频跨导gm 。 gm数值的大小表示uGS对iD控制作用的强弱。 gm的单位为S(西门子)或mS 在管子工作在恒流区且uDS为常量的条件下，iD的微小变化量△iD与引起它变化的△ uGS之比，称为低频跨导： 场效应管在使用时要注意可能出现栅极感应电压过高而造成绝缘层的击穿问题。为了避免这种损坏，在保存时，必须将三个电极短接；在电路中栅、源极间应有直流通路；焊接时应使电烙铁有良好的接地。 三极管与场效应管的比较 双极型 单极型 流控 压控 输入电阻 低 高 热稳定性 差 好 三极管 场效应管 六、场效应管放大电路 共源极放大电路 共漏极放大电路 共栅极放大电路 自给偏压偏置电路和分压式偏置电路 1、自给偏压偏置电路 特别注意：由N沟道增强型绝缘栅场效应管组成的放大电路，不能采用自给偏压偏置电路 + + － － UDS UGS + － Ui C1 C2 C3 + Uo － 2、分压式偏置电路 + + － － UDS UGS + － Ui C1 C2 C3 + Uo － 南京航空航天大学 * * * *