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2.11电路如图所示，晶体管的，(=100，。 (1)求电路的Q点、、Ri和Ro。 (2)若改用(=200的晶体管，则Q点如何变化？ (3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 解：(1)静态分析：因为 所以基极静态电位 静态工作点 动态分析： (2) 若改用(=200的晶体管，则IEQ基本不变，因而UCEQ也基本不变。但IBQ明显变小，为 (3)若电容Ce开路，则变小，Ri增大，变为 2.12电路如图所示，晶体管的(=80，rbe=1k(。 求出Q点； 分别求出RL=∞和RL=3k(时电路的、Ri和Ro。 解：(1)求解Q点 (2)求解动态参数 RL=∞时 当RL=3k(时 两种情况下输出电阻相同 2.14改正图中所示电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 解：为将漏极电流的变化转换成电压的变化，需在漏极加电阻Rd。该电路采用自给偏压的方式设置静态栅-源偏压，故可在输入端加耦合电容。改正后为： 2.16已知图中所示电路中场效应管的转移特性如图所示。求解电路的Q点和。 解：(1)求Q点 由图可知，UGSQ=VGG=3V。 从转移特性查得，当UGSQ =3V时的漏极电源IDQ=1mA，因此管压降为 (2) 求 2.17电路如图所示。(1)若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？(2)若想增大，则可采取哪些措施？ 解：(1)若输出电压波形底部失真，则Q点过高，可通过减小UGS的方法和改变直流负载线斜率的方法消除。 因为 所以可通过增大R1、Rs，减小R2、Rd等方法消除。 若输出电压波形顶部失真，则可通过减小R1、Rs，增大R2等方法消除。 (2) 若想增大，因为 则可通过减小R1和Rs，增大R2来增大IDQ，从而增大gm；或者增大Rd等方法来实现。 2.18图中哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型(如NPN型、PNP型、N沟道型等)及管脚(b、e、c、d、g、s)。 解：(b)不能。因为T2为MOS管，栅源电阻趋于无穷大，使T1无集电极(发射极)电流通路。 (f)构成PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。