0zq%hzrs变频器调速原理.docVIP

、 .~ 我们‖打〈败〉了敌人。 　　②我们‖〔把敌人〕打〈败〉了。—极对数 等值电路： U1:定子相电压 I1、I2’:定、转子电流 r1、r2’：定、转子电阻 x1、x2’:定、转子电抗 xm、rm:、励磁电抗和电阻 E1、E2’:定、转子电动势 I2’、E2’、r2’、x2’等转子参数是经过折算后得的值。 输入功率： P1=m1·U1·I1·COSΦ1 定子铜耗： PCu1=m1·I12·r1 定子铁耗： PFe1=m1·Im2·rm 转子铜耗： PCu2=m1·I2’2·r2’ 总机械功率：Pi=m1·i2’2·r2’ ·(1-s/s) 异步电动机功率流程示意图： PM=P1- PCu1- PFe1 (PM为电磁功率，P1为电网输入的电功率) Pi= PM- PCu2 （Pi为总机械功率） P2=Pi-Pm (Pm为机械损耗，P2为电机轴的输出功率) 电机的转矩平衡方程式： P2/ω=Pi/ω=Pm/ω 或 T2=T-Tm （ω为电机转子的旋转角速度,ω=2πn/60;T2为负载转矩；T为电磁转矩） 由此一系列关系式，还可得出异步电动机的转矩-转差率（转速）曲线，简称T-S曲线。 三、电力半导体器件： 晶闸管（SCR）：A为阳极；K为阴极；G为门极。 门极可关断晶闸管（GTO）：可以利用G极的正、负极性来导通和关断电路。 功率晶闸管（BJT）：亦称巨型晶体管（GTR）,类似于NPN的三极管，要在基极提供一定的电流才可正常工作。BJT主要工作于开关状态，即截止和饱合导通状态。 功率场效应晶体管（MOSFET）：又称功率MOSFET。 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：它是一种结合了BJT MOSFET两者特点的复合型器件，它既有MOS器件的工作速度快、驱动功率小的特点，又有大功率晶体管的电流能力大、导通压降低的优点。 它是以功率晶体管BJT为主导元件、MOSFET为驱动元件的达林顿结构器件。 6.其它新型器件： 静电感应晶闸管（SITH） 静电感应晶体管（SIT） MOS控制晶闸管（MCT） 功率集成电路（Power IC） 7．电力半导体器件的比较： 器件名称 BJT GTO IGBT VDMOS SIT SITH 控制方式 电流 电流 电压 电压 电压 电压 常态 阻断 阻断 阻断 阻断 导通/关断 导通/关断 反向电压阻断能力（V） 50 500～6500 200～2500 0 0 500～4500 正向阻断电压范围（V） 100～1400 500～9000 200～2500 50～1000 50～1500 500～4500 正向电流范围（A） 400 3500 400～100 100～12 200 2200 正向导通电流密度（A/cm2） 30 40 60 6 30 100～500 浪涌电流耐量 3倍额定值 10倍额定值 5倍额定值 5倍额定值 5倍额定值 10倍额定值 最大开关速度（kHz） 50 10 50 20Ｘ103 200Ｘ103 100 门栅汲驱动功耗 高 中等 很低 低 低 中等 dv/dt 中等 低 高 高 高 高 di/dt 中等 低 高 高 高 中等 最高工作结温（℃） 150 125 200 200 200 200 抗辐射能力 差 很差 中等 中等 好 好 制造工艺 复杂 复杂 很复杂 很复杂 很复杂 很复杂 典型线宽（mm） 20 50 10 5、10 5 5 使用难易程度 较难 难 中等 很容易 容易 容易 四、变频器的种类： 从主回路分：交-直-交、交-交。 交-直-交：可分为电压型（电路中直流部分接有大容量的电容器） 可分为电流型（电路中直流部分接有大容量的电抗器）（用于频繁启动和运行于第四象限） 交-交：中间不需要直流环节，又称为周波变频器。它由两套整流器组成。 最高频率只能达到电源频率的1/3～1/2，不能高速运行。 变频器类别 比较项目 电流型 电压型 直流回路滤波环节 电抗器 电容器 输出电压波形 决定于负载，当负载为异步电动机时，近似为正铉波 矩形 输出电流波形 矩形 决定于逆变器电压与电动机的电动势，有较大谐波分量 输出动态阻抗 大 小 再生制动（发电制动） 方便、不需附加设备 需要附加电源策反并联逆变器 过电流及短路保护 容易 困难 动态特性 快 较慢，用PWM则快 对晶闸管要求 耐压高，对关断时间无严格要求 一般耐压较低，关断时间要求短 线路结构 较简单 较复杂 适用范围 单机、多机