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半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 BJT的结构 BJT工作模式 放大模式（Active, Amplifier mode） 发射结正偏，集电结反偏 饱和模式（Saturation mode） 发射结正偏，集电结正偏 截止模式（Cutoff mode） 发射结反偏，集电结反偏 2.1 放大模式下BJT工作原理（NPN管） 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 二．电流传输方程 三个电极上的电流关系: 三极管的三种连接方式 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 二、输出特性曲线簇 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 三. 晶体三极管的主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 半导体三极管的型号 * 第二章 晶体三极管 2.1 晶体三极管工作原理 2.2 晶体三极管伏安特性曲线 2.3 晶体三极管小信号电路模型 2.4 晶体三极管电路分析方法 2.5 晶体三极管应用原理 NPN型 PNP型 符号: 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 若在放大工作状态： 发射结正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集电结反偏： 由VBB保证 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE 0 共发射极接法 c区 b区 e区 一．BJT内部的内部载流子传输过程  另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 动画演示 IE =IC+IB 定义： 1. IC与I E之间的关系: 所以: 其值的大小约为0.9～0.99。 2. IC与I B之间的关系： 所以： 得： 令： 思考：ICEO的物理含义( P51)? 共基级电流传输系数 共射级电流放大系数 2.2 晶体三极管伏安特性曲线（共发射极接法） 一、输入特性曲线簇 iB=f(uBE)? uCE=const （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 死区电压 硅 0.5V 锗 0.1V 导通压降 硅 0.7V 锗 0.3V （1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。 同理，可作出iB=其他值的曲线。 注意与P60图2-4-4的区别 动画演示 饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区—— 曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电