《模拟电路基捶 20090908 第三次课.pptVIP

导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。 关键名词： 本征半导体、杂质半导体、施主杂质、受主杂质 自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子、漂移电流、扩散电流 导致二极管出现反向击 穿的原因有两种： 雪崩击穿——价电子被 碰撞电离； 齐纳击穿——价电子被 场致激发 为了便于分析接有器件的电路，常常需要将器件当作一个“电阻”看待，但这种电阻和常规线性电阻有所区别。 将二极管看做一个电阻，其端电压与流过电流的比值，就是二极管的等效电阻。 二极管是一个非线性元件，它的等效电阻不是一个常数。因此，在确定二极管等效电阻的阻值时，必须明确以下两点： ①必须考虑二极管的工作状态——即加到二极管两端的电压与通过二极管的电流的数值，用来说明二极管工作状态的二极管伏安特性曲线上的点，称为工作点；②必须将微变电阻与直流电阻区别开来，因为在不同的工作状态，两种电阻的值不同。 上述数据说明： 二极管是一个非线性电阻 二极管的正偏等效电阻随工作点电流的增大而减小 二极管的正向直流电阻大于微变电阻 1. 雪崩击穿与齐纳击穿的本质区别是什么？ 2. Si 管的开启电压约0.5-0.6V，Ge管约0.1-0.2V。为什么？——哪些因素决定着二极管的开启电压？ 3.变容二极管工作在反偏状态，为什么？ 能近似反映电子器件特性的、由理想元件构成的等效电路称为器件的模型。 构成器件模型的基本元件有：线性电阻、电容和电感以及独立源、受控源等。 封装目的——引线方便，电性能、机械等等特性的稳定可靠。 二极管的核心呢就是一个PN结。 二极管反向应用时，反向特性并不完全呈水平线，它有一定斜度，这是因为二极管有漏电阻存在。 电击穿——可恢复；热击穿——不可恢复，烧坏； 当增加反向电压时，因在一定温度条件下，少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化， 当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿。 半导体二极管特性——单向导电性、开关特性、反向击穿特性。 工作点到原点的直线斜率的倒数。；；交流电阻是动态电阻，不能用万用表测量。用万用表欧姆挡测出的正、反向电阻是二极管的直流电阻。 静态电阻。 工作点处切线斜率的倒数。 交流电阻——微变电阻，增量电阻，动态电阻。 工作点到原点的直线斜率的倒数。；；交流电阻是动态电阻，不能用万用表测量。用万用表欧姆挡测出的正、反向电阻是二极管的直流电阻。 * * Chap1 半导体材料及二极管 （含绪论，6学时，第三次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn 内容回顾 0 内容回顾 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 图1.11 二极管的结构和电路符号 二极管按结构分为三大类： 点接触型、面接触型和平面型 二极管分类方式： 按材料、按用途、按功率、按频率 二极管结构示意图 (a)点接触型 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (b)面接触型 PN结面积大，结电容大，一般仅用于低频大电流整流电路。 (c)平面型 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 VT=kT/q(热电压） 当T=300K时，VT=26mV IS—反向饱和电流 2. 反偏伏安特性方程： 1.3.1 晶体二极管伏安特性 二极管的伏安特性是指流过二极管中的电流 iD 与其端电压vD之间的关系： （1.16） 1. 正偏伏安特性方程： 二极管V-I特性 VON－导通电压；门限电压或死区电压。Si:0.5V ；Ge:0.2V 3. 反向击穿特性 当加在二极管上的反偏电压超过某一数值VBR时，反偏电流将急剧增大，这种现象称为二极管的反向击穿。 图1.13 二极管的反向击穿特性 4. 温度对二极管伏安特性的影响 反偏时，温度升高，曲线下移。每升温10℃，IS增大一倍 注：当温度太高，少子浓度与多子浓度相当时，PN结不存在，失去单向导电性。 ？？ 正偏时，温度升高，曲线左移。每升温1℃，左移2-2.5mV Si管反向电流比Ge管反向电流小得多，Si 管是pA量级，Ge管是μA量级。 5. Si管和Ge管V-I特性的差异 Si管和Ge管伏安特性的差别 为什么？ Si 管的开启电压约0.5-0.6V，Ge管约0.1-0.2V。 1.3.2 二极管的直流电阻和交流电阻 二极管的直流电阻越小。 越大， 典型数据： ? 直流电阻定义： 显然， 即工作点处电流 二极管反偏时因