2半导体器件基础.docVIP

第二章 半导体器件基础 【半导体二极管，6学时】 1. 半导体物理基础 2. PN结 动态平衡下的PN结；PN结的伏安特性；PN结的击穿特性；PN结的电容特性。 3. 二极管电路分析方法 4. 二极管应用 5. *其他二极管 肖特基表面势垒电容；光电二极管 【晶体三极管，3学时】 1. 放大模式下三极管的工作原理 载流子的传输过程：电流传输方程；一般模式 2. 其他工作模式：饱和模式；截止模式 3. 伏安特性曲线 【本章内容的重点】 半导体二极管的单向导电特性、伏安特性以及主要电参数；硅稳压二极管的伏安特性、稳压原理及主要电参数。 半导体器件是模拟电子技术中最基本的元件之一，本章将介绍半导体器件的一些基本知识，PN结是怎样形成的，使大家了解半导体二极管、三极管和场效应的物理结构、工作原理、特性曲线、主要电参数。 §2.1 半导体的基础知识 根据物体导电能力（电阻率）的不同，可分为导体、绝缘体和半导体。 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3～10-9 ((cm内。 晶体二极管广泛应用于各种电子设备中，它是一种由PN结构成的电子器件。为了掌握PN结的单向导电性，就要先了解本征半导体、杂质半导体以及有关的半导体物理基础知识。 【1学时】 一. 本征半导体 1. 本征半导体的物理结构 高度提纯，不含杂质的半导体称为本征半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 常用的半导体材料有元素半导体，如硅（Si）和锗（Ge），还有化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等，也有掺杂和制成其他化合物半导体的材料，如硼（B）、磷（P）、铟（In）和锑（Sb）等。半导体受到外界光和热的刺激或在纯净的半导体中加入微量的杂质时，其导电能力将会发生显著的变化。 硅和锗均属四价元素，原子序号分别为14和32，它们的原子外层均有四个价电子，与相邻四个原子的价电子组成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。（如P27图2.1.1所示。） 2. 本征激发（2稿） 当一块本征半导体处于热力学温度0 K（开尔文）和没有外界影响的条件时，它的价电子均束缚在共价键中，不存在自由电子。但当温度升高或受到光的照射时，某些共价键中的价电子从外界获得足够的能量，摆脱共价键的束缚，离开原子，参与导电，成为自由电子（带一个负电荷），并在原共价键的位置上形成一个空位（带一个正电荷），二者数量相等，且成对出现、消亡。这一过程称为本征激发。热、光、电磁辐射等均可产生本征激发，但热激发是半导体材料中产生本征激发的主要因素，因此本征激发也称热激发。 下面用能量图来说明本征激发的过程。右图为硅和锗晶体的价电子能带图。纵坐标价带是被价由子所占据的能带，导带是挣脱了共价键束缚的自由电子所占据的能带，它们之间的禁带则是不能被电子所占据的能带。纵坐标表示电子能量（eV：电子伏特）。表示一个电子降落1V电位时外力反抗电场力所能作的功。可见，本征激发就是获得大于禁带宽度Eg能量的价电子从价带到导带的跃迁，结果是导带中出现自由电子，价带中出现空穴，形成自由电子——空穴对。 3. 空穴的运动 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。游离的部分自由电子被共价键俘获也可能会回到空穴中去，这时一个电子和一个空穴同时消失，称为复合。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 下面来看看自由电子和空穴是怎样运动的。 当本征半导体产生本征激发时，在共价键中留下空穴，邻近共价键中的价电子就很容易跳过去填补这个空穴，在这个电子原来的位置上又留下新的空位，这样，空穴便发生了转移；而新的空穴又被其相邻的价电子填补。这种过程持续进行下去，就相当于一个空位在晶体中移动。由此可见，空穴的运动是电子从一种束缚状态变成另一种束缚状态的结果。空穴在电场作用下定向移动形成电流，实际上是共价键中的价电子在作填补空穴的移动，反向与空穴移动的反向相反，因而可用空穴移动产生的电流来代表束缚电子移动产生的电流。 电子和空穴均是能够自由移动的带电粒子，称为载流子。可见，半导体借以导电的载流子比导体多了一种空穴，换句话说，半导体是一块自由电子和空穴两种载流子导电的物质。 本征半导体的特点：①本征激发产生成对电子和空穴。②温度越高，电子和空穴对的浓度越大。外部条件一定时，不断有本征激发产生新的电子和空穴，也不断有电子与空穴复合而消失，本征激发和复合达到动态平衡。室温下，电子、空穴对浓度较低，故电阻率大，导电性能差。当温度升高时，其导电能力增强，利用此特性本征半导体可制成热敏元件；当光照增加时载流子浓度增大、