单晶硅扩散工艺 江苏林洋新能源有限公司 2005年10月5日.pptVIP

文库专用 等离子刻蚀工艺江苏林洋新能源有限公司2005年10月5日 目 录 1 概述 2 等离子刻蚀基本原理 3 等离子刻蚀基本工艺 4 刻蚀后硅片检验 1.1 太阳能电池片生产工艺流程 概述 1.2 等离子刻蚀工艺的目的 概述 2.1 等离子体 等离子刻蚀基本原理 2.2 刻蚀机构 等离子刻蚀基本原理 2.2 刻蚀方程式 等离子刻蚀基本原理 2.2 氧气的作用 等离子刻蚀基本原理 3.1 工艺参数 等离子刻蚀基本原理 4.1 刻蚀后硅片检验 文库专用 文库专用 文库专用 分选测试 PECVD 一次清洗 二次清洗 烧结 印刷电极 等离子刻蚀 检验入库 扩散 文库专用 将PN结周边刻蚀 P型衬底 文库专用 等离子体（Plasma）的含义 包含足够多的正负电荷数目近于相等的带电粒子的物 质聚集状态。 由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样 物质就变成由自由运动并相互作用的正离子和电子组成的混合物(蜡烛的火 焰就处于这种状态)。我们把物质的这种存在状态称为物质的第四态，即等 离子体(plasma)。因为电离过程中正离子和电子总是成对出现，所以等离 子体中正离子和电子的总数大致相等，总体来看为准电中性。 液态 固态 气态 等离子体 文库专用 射频电源辉光放电 辉光放电是由大量中等能量（15eV）的电子激发中性原子，电子返回基态 时释放的光辐射。 射频电源 文库专用 为何处在等离子体环境下进行刻蚀 在我们的工艺中，是用CF4和O2来刻蚀扩散后的硅片，其刻蚀原理如下： CF4 = CFx* + (4-x) F* (x≤3) Si + 4 F* = SiF4 ↑ SiO2 + 4 F* = SiF4 + O2↑ 反应的实质，打破C-F、Si-Si键，形成挥发性的Si-F硅卤化物。 CΘF +Si ΘSi = Si-F + 17kcal/mol 反应需要一个净正能量，CF4本身不会直接刻蚀硅。等离子体高能量 的电子碰撞会使CF4分子分裂生产自由的氟原子和分子团，使得形成 SiF是能量有利的。 文库专用 在CF4进气中加入少量氧气会提高硅和二 氧化硅的刻蚀速率。人们认为氧气与碳原 子反应生成CO2，这样从等离子体中去掉 一些碳，从而增加F的浓度，这些成为富氟 等离子体。往CF4等离子体中每增加12% 的氧气，F浓度会增加一个数量级，对硅的 刻蚀速率增加一个数量级。 文库专用 20 Pa 压力偏差 压力偏差设置 300 SCCM CF4流量 50 SCCM 氧气流量 600 W 辉光功率 15 Pa 工艺压力 工艺参数 30 Sec 充气 150 Sec 送气 60 Sec 清洗 180 Sec 主抽 540 Sec 辉光 120 Sec 预抽 时间参数 文库专用 刻蚀好的硅片周边应光滑发亮. 到分选测试仪处，检查电池片的I-V曲线。 若出现如右侧所示的I-V曲线图， 则说明硅片的等离子刻蚀工艺有问题。 Sheet1 Chart1 题 目： 页 号： 1/2 文件号： 版本号： 制定日期： 编制： 审核： 批准： 1.目的： 2.适用范围： 4.责任： 2/2 工艺流程 工艺参数 清洗 等离子刻蚀工艺控制 确保等离子刻蚀工艺处于稳定受控状态 适用于等离子刻蚀工序 开机 手动状态（用于设备调试和维修） 整机上电，点动“机械泵开”按钮，注意机械泵旋转方向应与标记一致。 确认机械泵无异常后，将旋转开关旋至手动，将蝶阀转到最大开度，开机械泵和 预抽阀，2分钟后压力值显示；当压力的测量值小于600Pa时，关预抽，开主抽， 3分钟后压力值显示应小于15Pa，如达不到该值，应检查各管路接头。 检查各阀门工作状态，确认无异常后，准备进行工艺调试；将射频电源打开，使 之预热30分钟，并将功率粗调旋钮逆时针旋到底；调整功率的设定值至工艺值， 辉光 只能轻微的、缓慢的转动），使输出功率达到100W,这时反应室将产生辉光。 预抽 主抽 送气 压力偏差设置 压力偏差 打开O2和CF4电磁阀，调整流量至工艺值；调节电机的转速； 调整匹配盒上的两旋钮，使反射功率最小；缓慢旋转功率旋钮，将功率增至设定 值，并不断调整匹配盒上的旋钮，保证反射功率一直最小。 充气 等离子刻蚀控制 将旋转开关旋至自动,调整好各工艺参数值，开盖，将待刻蚀的硅片放入反应室， 关盖,按下运行按钮,整个工艺将自动完成，取片后接着装片，可连续进行工艺。 当压力稳定后,按下射频电源的“高压开”按钮，将功率旋钮顺时针转动（注意： 本作业