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宽温区高热稳定性SiGe+HBT的基区优化设计.pdf
第41卷 第5期 北 京 工 业 大 学 学 报 Vol.41 No.5
2015年 5月 JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OFTECHNOLOGY May2015
宽温区高热稳定性SiGe HBT 的基区优化设计
付 强,张万荣,金冬月,赵彦晓,张良浩
(北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京 100124)
摘 要:为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热
稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT 电流增益和特征频率温度敏感性
的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性. 随后在选
取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT 的电流增益和特征频率温度
敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT 的电流增益对温度变化的敏
感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT 的特征频率对温度变化的
敏感性. 在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率
且其温度敏感性较弱.
关键词:SiGe异质结双极型晶体管(HBTs);温度敏感性;杂质浓度分布;Ge组分分布
中图分类号:TN385 文献标志码:A 文章编号:0254-0037(2015)05-0686-07
doi:10.11936/ bjutxb2014070018
Design and Optimization of Base-Profile for the Thermal Stability of
SiGe HBT Over Wide Temperature Range
FU Qiang,ZHANG Wan-rong,JIN Dong-yue,ZHAO Yan-xiao,ZHANG Liang-hao
(College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)
Abstract: To improve the thermal stability of curvent gain β and cut-off frequency f in SiGe
T
heterojunction bipolur transistors(HBTs),theimpactsof dopingprofileinthebaseof SiGe HBTwiththe
box Ge profile on the temperature sensitivity of current gainβ and cut-off frequencyf are investigated
T
firstly. It can be found that with the doping peak concentration in the base gradually approaching to the
collector,β andf of HBT decrease sl
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