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功率MOS与高压集成电路-1,大功率mos管驱动电路,mos管功率放大电路,功率集成电路,集成功率放大电路,高压mos管,mos管开关电路,mos管驱动电路,4n65高压mos管,2n65高压mos管
功率MOS与高压集成电路 内容提要 绪论 垂直导电MOS型功率器件 雪崩击穿与结终端技术 横向高压、功率MOS型器件 功率集成电路与高压集成电路 新型功率器件与功率系统集成 参考书目 陈星弼院士 《功率MOSFET与高压集成电路》 东南大学出版社, 1996年 B.J. Baliga 《Power Smeiconductor Devices》, PWS publishing company 张波 ,《功率半导体器件》英文自编讲义 第一章 绪论 什么是高压功率器件 能工作在较高电压情况下的半导体器件称为高压器件。 这里的“高压”是一个较模糊的概念。 数字电路: 25V ~100V 射频电路: 20V~100V 电源电路: 20V~1200V 马达控制电路: 60~1500V 特殊领域:2000V 功率=电流×电压 功率器件的定义 具有处理较大功率的器件, 一般定义为功率大于500mW的器件. 高压器件不一定是功率器件. 功率器件的工作电压不一定就高. 注意这里功率是指器件所能处理的功率, 而非器件自身的功率损耗. 表征高压功率器件的指标 表征高压功率器件的指标 安全工作区SOA 正向安全工作区 反向安全工作区 高压功率器件的研究内容 如何提高耐压 如何提高电流容量 如何提高速度 如何提高安全工作区 如何提高控制能力 如何降低工艺难度 高压功率器件的应用领域 整流 线性功率放大 开关功率变换 整流 整流 功率放大 * * 耐压×速度 导通电阻的导纳值 速度 优值Q= 导通电阻 一个良好的设计要求Q越高越好 耐压 优值Q 击穿限制 功耗限制 电流限制 击穿限制 电流限制 V 正向安全工作区 反向安全工作区 I 高压功率器件的应用领域 ~ Vin Vout Vout Vin time ~ Vin Vout time Vout Vin ~ Vin Vout Vout Vin time 控制 *
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