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《集成电路制造工艺》习题集
第一章序言
1. 简述集成电路制造工艺发展的大致状况。
2. 描述圆片和芯片的关系和区别。
3. 和分立器件相比，集成电路有何特有的工艺？
4. 你如何理解集成电路制造工艺课程的性质和任务。
第二章 薄膜制备
2. 二氧化硅在半导体生产中有何作用？
3. 二氧化硅要阻挡杂质要满足什么条件？
4. 组成二氧化硅基本单元是什么？它有哪两种主要的结构？
5. 氧在二氧化硅中起何作用？它有哪两种基本形态？
5. 二氧化硅中的杂质主要有哪几种形式？它们对二氧化硅的结构有何影响？
6. 什么是热氧化生长法？热氧化后硅的体积如何变化？
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7. 如果要行长 2000 A 的二氧化硅膜，要消耗多少厚度的硅？
8. 写出三种的热氧化生长法的原理及各自的特点。
9. 写出热氧化生长法的主要规律。
10. 影响氧化生长速率的因素有哪些？
11. 在半导体生产中为何常采用干—湿—干的氧化方法。如果要生长 5000 纳米的膜，需要
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多长的氧化时间？（已知在 T=1200℃，B湿 117.5um /min）
12. 描述二氧化硅-硅系统电荷的种类、产生原因及改进措施。
13. 如何测试二氧化硅的厚度？
14. 二氧化硅的缺陷包括哪几个方面？
15. 叙述氢氧合成氧化的原理及特点。
16. 叙述高压氧化的原理及特点。
17. 什么叫掺氯氧化？它有何优点？掺氯氧化时要注意哪些问题？
18. 热分解氧化和热氧化有何区别？它有何特点？
19. 简述外延在半导体生产中的主要作用有哪些？
20. 叙述最常用的外延生长的化学原理？
21. 外延生长系统包括哪几个主要部份？加热炉的形状有哪几种，各有什么特点？
22. 画出四氯化硅汽化器的结构框图并说明其工作原理。
23. 说明在外延生长过程中如何适当的选择四氯化硅的浓度和外延生长温度？
24. 外延生长中的热扩散效应对外延质量有何影响？如何减小热扩散现象？
25. 什么是外延中的自掺杂效应？自掺杂的原因是什么？如何减小自掺杂现象？
26. 什么是层错？产生的原因是什么？以（111）晶向为例说明如何用层错法测外延层的厚
度？测量时要注意些什么问题？
27. 说明外延厚度的检测方法？
28. 说明用三探针法测外延层电阻率的原理和方法？
29. 简述硅烷热分解外延法的原理及特点？
30. 简述 SOS 外延的作用及方法。
31. 什么是分子束外延？它有何特点？
32. 薄膜沉积的作用是什么？薄膜沉积有哪两类？
33. 薄膜沉积的过程如何？
34. 什么叫 CVD ？它主要适合哪些薄膜？它有哪几种主要的CVD 方式？
35. 写出二氧化硅膜的三种主要的 CVD 制备方法的原理及各自的特点。
36. 写出 BPSG 的CVD 制备原理并说明为什么要进行热熔流及如何进行。
37. 写出氮化硅的 CVD 制备方法。
38. 写出钨的 CVD 制备方法。
39. 什么叫 PVD ？它主要适合哪些薄膜？它有哪两种主要的制备方法？
40. 什么是铝的尖刺现象？它是如何产生的？如何改进？
41. 如何使铝硅接触成为欧姆接触，以降低接触电阻？
42. 什么是铝的电迁移现象？它是如何产生的，对电路会产生什么影响？如何改进？
43. 什么叫蒸发？它有哪两种主要的蒸发方式。
44. 什么叫电子束蒸发？它有何特点？
45. 什么叫溅射？它有哪几种主要的溅射方式？
46. 画出直流溅射示意图，并说明溅射原理。
47. 和直流溅射相比，射频溅射有何特点？
48. 什么是磁控溅射？它有何作用？
第三章 掺杂
1. 什么是掺杂，掺杂在半导体生产中有何作用？掺杂有哪两大类？
2. 什么叫热扩散？
3. 热扩散有哪两种机构？分别举例说明什么是慢扩散杂质和快扩散杂质。
4. 什么是恒定表面源扩散？杂质分布满足什么规律？它有何特点？
5. 什么是有限杂质源扩散？杂质分布满足什么规律？它有何特点？
6. 解释扩散系数，单位面积杂质总量，表面浓度，固溶度概念。
7. 什么是两步扩散法？它在半导体生产中有何作用？
8. 内建电场对杂质扩散有何影响？
9. 什么是基区陷落效应？对器件或电路有何影响？如何改进？
10. 简述液态源硼扩和磷扩的杂质源和扩散原理。
11. 简述片状源硼扩和磷扩的杂质
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