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第一章 常用半导体器件 一填空题 物质按导电能力的强弱可分为（导体）（绝缘体）和（半导体）三大类，最常用的半导体材料是（硅）和（锗）, 根据在纯净的半导体中掺入的（杂质）元素不同，可形成（N）型半导体和（P）型半导体。 纯净半导体又称（本征）半导体，其内部空穴和自由电子数（相等）。N型半导体又称（电子）型半导体，其内部少数载流子是（空穴）；P型半导体又称（空穴）型半导体，其内部少数载流子是（电子） 晶体二极管具有（单向导电性），即加正向电压时，二极管（导电），加反向电压时，二极管（截止）。一般硅二极管的开启电压约为（0.5）V锗二极管的开启电压约为(0.1)V;二极管导通后,一般二极管的 正向压降约为(0.7)V,锗二极管的正向压降约为(0.3)V 锗二极管开启电压小,通常用于(高频小信号检波电路),硅二极管反向电压小,在(整流)及电工设备中长使用硅二极管. 稳压二极管工作于(反向击穿)区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好(越好). 在稳压电路中,必须串接(限流)电阻,防止(反向电流)超过极限值而发生(热击穿)损坏稳压器. 二极管按制造工艺不同,分为(点接触)型,(面接触)型和(平面)型. 二极管按用途不同可分为(普通),(整流)(稳压),(开关).(光电),(发光).和(变容).等二极管. 二极管的主要参数有(最大整流电流).(最高反向工作电压).(反向饱和电流)和(最高工作频率). 稳压二极管的主要参数有(稳定电压),(稳定电流),和(动态电阻). 图1-1-1所示电路中,二极管V1,V2均为硅管,当开关S与N相接时,A点的电位为(3.7)V,当开关S与N相接时,A点的电位为(0)V. 图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当S打开时,A点的电位为(1.6)MA;当开关S闭合时,A点的电位为(0),V,流过电阻的电流是(2)MA 图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为(0),流过V2的电流为(105)MA输出电压U0为(-5)V 光电二极管的功能是将(光)信号转换为(电)信号,发光二极管的功能是将(电)信号转换为(光)信号. 用数字式万用表测量二极管,应将功能开关置于(二极管)挡,将黑表笔插入(COM)插孔,接二极管的(负)极;红表笔插入(V/ ).插孔,接二极管的(正)极,其显示的读数为二极管的(正向压降). 1-2 一,填空题 1三极管有两个(PN0结,分别为(发电结),(集电结),三极管分别为(基极)(发射极)和(集电极),三极管按内部不同可分为(NPN).(PNP). 2.晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是(发射结)正偏(集电结)反偏,电流分配关系是(Ie=Ib=Ic) 3.在模拟电子电路中，晶体三极管通常被用为（放大）元件，工作在输出特性曲线上的（放大）区；在数字电子电路中，晶体三极管通常别用作（开关）元件，工作在输出特性曲线上（截止），区和（饱和）区。 4.在一块正常放大电路板上，测得三极管1.2.3脚对地电压分别为-10V，-14V，则该管为（PNP）型（锗）材料三极管，1脚是（发射），极2脚是（基）极，3脚是（集电）极。 5.NPN型三极管，当UBE0.5v,UBEUce时，工作在（饱和）状态；当Ube0.5V,UbeUce时，工作在（放大）状态；当UBE0时，工作在（截止）状态。 6.当温度升高时，三极管的放大系数β将（增大），穿透电流Iceo将（增加），发射结电压Ube将（减小）。 7.衡量晶体三极管放大能力的参数是（电流放大系数），三极管的主要极限参数有（Icm）,(Ubrceo)(Iceo) 8.因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管（大得多）所以（硅）三极管的热稳定性好。 9.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即（放大）区，（饱和）区，和（截止）区，，当三极管工作在（放大）区时，Ic=βIb才成立；当三极管工作在饱和区时Uce=（Uces）；当三极管工作在截止区时，Ic=（Iceo））））Icq)和（Uceq） 在单级共射极放大器中，输出电压uo与输出电压ui（频率）相同，（波形）相似，（幅度）得到放大，而它们的（相位）相反。 2-2 放大器的分析方法 一．填空题 1．分析放大器的性能，通常采用（估算法）和（图解）法 2．图解法就是利用三极管的（输出特性）曲线，通过（作图分析）方法来分析放大器的工作情况。 3．共发射极基本放大器兼有（放大）和（反相）作用。 4放大器的放大倍数有（电压放大倍数）（电流放大倍数）和（功率放大倍数）三种。 5直流负载线反映（静态）时，集电极电流与管压降之间的变化关系；交流负载反映（动态