UHV-CVD法生长硅基碳化硅薄膜的研究.pdfVIP

UHV．CVD法生长硅基碳化硅薄膜研究‘ 章国强黄靖云亓震汪雷 卢焕明袁骏赵炳辉叶志镇 浙{_l』学礴材料国家重点实验窜杭州310027 【摘要】 碳化硅是目前宽带隙半导伟十}料研究的热点之一。它具有檗带宽度大，热导率 高，电子的饱和漂移速度大，l临界击穿-也场慢度高和介电常数低等特点。在高频、大功率、 耐高温、抗辐射的半导体器州及紫外探测器和短波发光二板管等方面具有广泛的应用前 景。本文报道了使用超高真空化学气相沉积法{UHV—CVD)fl：长硅基碳化硅薄膜，使用X 射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析手段对薄膜的组分及结构进行了 研究。 UHV．CVD 薄膜研允 【关键词】 碳化辟 一、引言 随着!i，导体器件设计蜱沦与制造技术的发展，硅器件的工作性能已愈来愈趋近于由 其材料特性决定的理论极限，碳化硅以其庄禁带宽度、临界击穿电场强度、电子饱和漂移 迷度以及热导率等与面相对j一硅的较强优势而作为一种具有潜在府用价值的半导体材料备 受天注…m。由r碱化硅晶片十分昂贵，利用硅晶片作为衬底外延生长3C-SiC的l：作受 到特别重视【3。-“。在众多碳化硅的同质异形体中，只有3C-SiC与硅同属立方晶系，且为 lN锌矿结构，有可能在硅利J苠上实现低缺陷密度的异质外延生长。走这条技术路线，还可 J已经发展成熟的硅I．艺技术有机的结合起来。 将碳化硅的潜在心H{优贽z j!{E群利底}j外延生长3C．SiC，足以某种气态碳氢化合物Lj砗烷的混合气作为生长源， 采用两步CVD法进i了的mI所1月两步法，就是住通入混合气进行外延生长之前，先将硅 衬底暴露任．单一构碳氢化f?物气氛中进行数分钟表面碳化处理，然后从碳化层表面，而非 直接从硅农面，开始3C—SiC簿层的外延。 目前旧内一般采片】高温常压CVD法生K碳化硅，温度为1100—1300。C。本文报道了 低温牛长3C．SiC薄膜的Ⅱ；初步吱验结果。 本谍题为国家自然科学皋金荸尺J雨目，国家自然科学基金资助谍题。 作者简介：章国强，粥，钡土训究生，75年3月生，从事硅基半导体薄膜材料研究。 _I、实验 本实验外延生氏使用的发各是UHV／CVD系统，该系统由生长室、进样室和气路三部 分组成．详细资料见文献f7]。其中，加热系统经过L发进后，衬底硅片温度场的均匀性得 到了提高。 为了获得洁净的利底表面，我们采用了改进的RCA清洗方法，即在标准的RCA清洗 之后，衬底片放入进样室之前，再用10％HF酸对利底漂洗．以除去表面的氧化层，并得 到富氢表面。生长温度为850C，生长结束后不进行热处理。衬底片为直径3英寸(约75mm) 星3 SCCM SCCM，C2H4流量2z生长时间，200分钟。 为了研究薄膜的组分与结构，对薄层进行了x射线衍射(仪器型号：菲利浦PC／APD)、 x射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析(仪器型号：AVATAR360，分辨率．4cm。)。 三、实验结果及分析 o=32．9。、 翻I为#7样品的X射线衍射谱幽，阿中～个明显的衍射峰分别f【{现2 0=35 35．6。、41．5。处。其中26。的峰，由实验x射线的波长(Cu靶K。，线，^=O．15406 251812 nm)可以算得衍射面的面间距为o DITI，按衍勇J面为(111)面计算，求得该种碳 nm，m2日-41 化硅的品格常数为0．43615 5。的峰，同上可算得衍射面的面间距为0217345 5 nm，按衍射面为(200)计算，同样求得其品格常数为0．4361nm。这与3C．SiC的ASTM K片(NO．29．1129)中列出的晶格常数0．43589D_ITI相吻合。 o=32 值得引起注意的是圈I中2 9。的衍射峰属rSi(200)面，其半高宽远大于标准 僻晶体样晶