Al箔溅射沉积Cu膜的工艺研究.pdfVIP

Al箔溅射沉积 Cu膜 的工艺研究 李海风，牛玉超，苏超，王志刚，王献忠 (山东建筑大学材料科学与工程学院，山东 济南 250101) [摘 要] 为了研究溅射工艺对膜一基间结合力的影响，获得成本较低、膜一基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料，利用 磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积 cu膜，采用胶粘带拉剥法测试了膜一基间的结合力，使用扫描 电子显微镜观察了cu膜的 组织和A1／Cu的界面形貌。结果表明：溅射工艺对膜一基间的结合力有着明显的影响，镀cu前对Al箔进行反溅射和在溅射沉积过 程中对工件施加负偏压都可有效地提高膜一基间的结合力。分析认为：镀cu前反溅射可有效地去除Al箔表面的氧化膜，使Al箔表 面得到净化 ；在磁控溅射沉积过程中对工件施加较高负偏压将产生辉光放 电，使工艺转化成溅射离子镀，从而获得与基体结合 良好、 晶粒细小、致密的镀层 。 [关键词] 电磁屏蔽；磁控溅射；A1箔；Cu膜；负偏压；结合力 [中图分类号]TG174．444；TB34 [文献标识码]A [文章编号]1001—3660(2009)02—00